[发明专利]一种基于高功率脉冲磁控溅射的离化率可控镀膜设备

权利要求书

1.一种基于高功率脉冲磁控溅射的离化率可控镀膜设备，其特征为，所述镀膜设备包括：真空溅射体系、低压直流电源体系、高压脉冲电源体系、PLC中央控制体系和计算机；低压直流电源体系为真空体系提供低压电流，高压脉冲电源体系为真空体系提供高压脉冲电流；PLC中央控制体系对真空体系、低压直流电源体系、高压脉冲电源体系进行控制，所述PLC与计算机实现数据的传送与控制。

2.根据权利要求1中所述镀膜设备，其特征为，所述真空体系由真空腔体、磁控溅射靶和真空获得装置组成。

3.根据权利要求1中所述镀膜设备，其特征为，所述低压直流电源体系包括：串联在一起的直流电源、电子开关S₁和二极管D1。

4.根据权利要求3中所述镀膜设备，其特征为，低压直流稳压电源的电压范围为0～600V。

5.根据权利要求1中所述镀膜设备，其特征为，所述高压脉冲电源体系包括：充电电源、电容组C和二极管D2、电流传感器、电感器L和两个电子开关S₂、S₃；其中，一个电子开关S₂与充电电源串联，充电电源、电容器组C和二极管D2三者并联；三者并联后与另一个电子开关S_3、电流传感器和电感器L串联设置在高压脉冲电源体系的总电路上；高压脉冲电源体系通过控制一个电子S₂的开启时间来控制电容组C的充电时间，及放电脉冲的峰值；通过控制另一个电子开关S₃的开启和关闭时间，来控制高压脉冲电源体系所发出的高压脉冲的频率以及占空比。

6.根据权利要求5中所述镀膜设备，其特征为，所述高压脉冲电源的峰值电压为2000V，脉冲频率为5HZ～200HZ，占空比为0.1%～5%。

7.根据权利要求1中所述镀膜设备，其特征为，所述PLC中央控制单元包括：硬件电路、CPU和通讯协议组成，所述PLC通过通讯协议与计算机实现数据的传送与控制。