[发明专利]壳体及其制造方法无效
申请号: | 201110020635.4 | 申请日: | 2011-01-18 |
公开(公告)号: | CN102595834A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;万自成 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H05K5/04 | 分类号: | H05K5/04;B32B9/04;B32B15/20;B44C5/04 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 壳体 及其 制造 方法 | ||
1.一种壳体,包括铝或铝合金基体,形成于该铝或铝合金基体表面的色彩层,其特征在于:所述色彩层包括依次形成于铝或铝合金基体表面的铝层和氧化铝层,所述色彩层呈现白色,其色度区域于CIE LAB表色系统的L*坐标值介于75至100之间,a*坐标值介于-1至1之间,b*坐标值介于-1至1之间。
2.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:所述铝层的厚度为1.0~3.0μm。
3.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:所述氧化铝层的厚度为0.5~1.0μm。
4.如权利要求1所述的壳体,其特征在于:所述色彩层以磁控溅射镀膜法形成。
5.一种壳体的制造方法,包括以下步骤:
提供铝或铝合金基体;
于该铝或铝合金基体上磁控溅射铝层;
于铝层表面磁控溅射氧化铝层,形成包括该铝层及氧化铝层的色彩层;
所述色彩层呈现白色,其色度区域于CIE LAB表色系统的L*坐标值介于75至100之间,a*坐标值介于-1至1之间,b*坐标值介于-1至1之间。
6.如权利要求5所述的壳体的制造方法,其特征在于:磁控溅射所述铝层的工艺参数为:以氩气为工作气体,其流量为100~300sccm,于铝或铝合金基体上施加-100~-200V的偏压,设置偏压的占空比为30%~75%,以铝为靶材,设置其功率为8~10kw,溅射温度为150~250℃,溅射时间为60~90min。
7.如权利要求5所述的壳体的制造方法,其特征在于:磁控溅射所述氧化铝层的工艺参数为:设置氩气流量为100~300sccm,以氧气为反应气体,设置氧气流量为50~100sccm,设置偏压的占空比为为30~75%,对基体施加150~250V的偏压,选择铝为靶材,设置其功率为8~10kw,沉积氧化铝层的时间为30~90min。
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