[发明专利]一种边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种制作边缘电场型液晶显示器阵列基板的方法，包括如下步骤：

提供一基板；

通过第一光蚀刻制程形成多数栅极线、多数栅极和一共通电极于该基板之上，该第一光蚀刻制程包含：

形成一第一导电层于该基板上，再形成一图案化光阻于该第一导电层之上；

去除未被该图案化光阻遮盖的导电层部分形成多数栅极线和多数栅极于该基板之上；

形成一第一透明导电层覆盖整个基板和该图案化光阻；

剥离该图案化光阻以及同时去除覆盖该图案化光阻的第一透明导电层以形成共通电极；

形成一栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极线、该栅极以及该共通电极；

通过第二光蚀刻制程形成一半导体层于该栅极绝缘层之上；

通过第三光蚀刻制程图案化形成多数数据线、多数源极和多数漏极于该栅极绝缘层和该半导体层之上；

通过第四光蚀刻制程图案化形成多数画素电极于该栅极绝缘层和部分该漏极之上，其中每一画素电极电性连接该对应的漏极；

通过第五光蚀刻制程形成一钝化层于该源极、该半导体层、该漏极、该绝缘层和该画素电极之上。

2.如权利要求1所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，其中该第一导电层在第一光蚀刻制程中被蚀刻形成每一栅极线的宽度小于覆盖在该栅极线上的每一图案化光阻的宽度，每一栅极的宽度小于覆盖在该栅极上的每一图案化光阻的宽度。

3.如权利要求1所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，其中每一画素电极包含多数电性相连且平行排布的条状电极，以及间隔分布于该多数条状电极之间的多数狭缝。

4.如权利要求1所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，其中每一栅极线包含一个栅极线连接垫电极，每一数据线包含一个数据线连接垫电极，该钝化层和该栅极绝缘层更包含多数第一接触孔，该钝化层更包含多数第二接触孔，每一第一接触孔部分曝露对应的栅极线连接垫电极，每一第二接触孔部分曝露对应的数据线连接垫电极。

5.如权利要求1所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，其中该栅极绝缘层和该钝化层更包含多数第三接触孔，每一第三接触孔部分暴露该共通电极。

6.如权利要求1所述之边缘电场液晶显示器阵列基板制作方法，其中该栅极线和该共通电极之间的间隔宽度范围为从0.2微米到2微米，该栅极和该共通电极之间的间隔宽度范围为从0.2微米到2微米。

7.一种边缘电场型液晶显示器阵列基板，其包含：

一基板；

一栅极线位于该基板之上；

一数据线位于该基板之上；

一薄膜晶体管位于该基板上，其中该薄膜晶体管包含：

一栅极电性连接该栅极线；

一栅极绝缘层位于栅极之上；

一半导体层位于栅极绝缘层上；

一源极和一漏极位于半导体层之上，其中该源极电性连接该数据线；

一共通电极位于该基板和该栅极绝缘层之间，其中该共通电极、该栅极和该栅极线三者共平面；

一画素电极位于该栅极绝缘层和部分该漏极之上，其中该画素电极电性连接该漏极；

一钝化层位于该源极、该漏极、该半导体层和该画素电极之上。

8.如权利要求7所述之边缘电场液晶显示器阵列基板，其中该画素电极包含多数条电性相连且平行排布的条状电极，以及间隔分布于该多数条状电极之间的多数狭缝。

9.如权利要求7所述之边缘电场液晶显示器阵列基板，其中该阵列基板更包含一栅极线连接垫电极电性连接该栅极线，其中该栅极绝缘层和该钝化层更包含一第一接触孔以曝露该栅极线连接垫电极。

10.如权利要求7所述之边缘电场液晶显示器阵列基板，其中该阵列基板更包含一数据线连接垫电极连接该数据线，其中该钝化层更包含一第二接触孔以暴露该数据线连接垫电极。

11.如权利要求7所述之边缘电场液晶显示器阵列基板，其中该栅极绝缘层和该钝化层更包含一第三接触孔以部分曝露该共通电极。

12.如权利要求7所述之边缘电场液晶显示器阵列基板，其中该栅极线和该共通电极之间的间隔宽度范围为从0.2微米到2微米，该栅极和该共通电极之间的间隔宽度范围为从0.2微米到2微米。