[发明专利]一种边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制造方法

说明书

【技术领域】

本发明是关于一种边缘电场(Fringe Field Switching，以下简称FFS)型液晶显示器阵列基板及其制作方法，更特别地，关于该边缘电场型液晶显示器阵列基板的栅极、栅极线和共同电极位于同一层，且在同一光蚀刻制程中被图案化。

【背景技术】

基于施加给液晶分子的电场的方向，液晶显示面板可大概分为垂直电场型液晶显示面板和水平电场型液晶显示面板。

在水平电场型液晶显示面板中，液晶分子被共通电极和画素电极之间的水平电场所驱动，因为共通电极和画素电极平行排布于基板的同一水平面上，因此水平电场型的液晶显示面板如常见的面内旋转(in-planeswitching，以下简称IPS)型液晶显示面板，IPS型液晶显示面板的优点在于它的广视角，但同时也伴随着低开口率和低穿透率的缺陷。

为了改善IPS型液晶显示面板的开口率，产生了一种边缘电场(fringefield switching，以下简称FFS)型液晶显示面板，这种显示器液晶分子被画素电极和共通电极产生的边缘电场所控制，其中这些画素电极可以位于共通电极之上，也可位于共通电极之下，并且两者中任意一种电极包含多数狭缝和条状电极用以产生边缘电场。

在FFS型液晶显示面板中，画素电极和共通电极均设置在下基板上且为同样的材质，比如说氧化铟硒(indium tin oxide，以下简称ITO)，并且共通电极和画素电极之间的间距小于上下两基板之间的间距。此外，画素电极或者共通电极的条状电极具有一个合适的宽度使得条状电极上的液晶分子都能被驱动。因为画素电极和共通电极的材质均为透明导电材质，都是光可穿透的，这种FFS型的液晶显示面板可以比IPS型液晶显示面板得到更好的开口率和穿透率。

但是，因为制作这种FFS型液晶显示器阵列基板需要六道光蚀刻制程，因此传统的制作方式相对复杂而且成本较高。

【发明内容】

本发明提供了一种制作FFS型液晶显示器阵列基板的方法。这种方法包含如下步骤，提供一基板，通过第一光蚀刻制程形成多数栅极线、多数栅极和一共通电极于基板上。该第一光蚀刻制程包含形成第一导电层于该基板上，形成一图案化光阻覆盖在第一导电层上；去除未被图案化光阻覆盖的第一导电层以形成栅极线和栅极；再形成一第一透明导电层于基板上覆盖栅极、栅极线和图案化光阻，然后剥离图案化光阻和覆盖在光阻上的透明导电层从而形成共通电极于基板上。然后，形成一栅极绝缘层覆盖于基板上，接着形成一半导体层覆盖在绝缘层上，并通过第二光蚀刻制程将半导体层图案化。接着再通过第三光蚀刻制程图案化形成多数数据线、多数源极和多数漏极覆盖在半导体层和栅极绝缘层上。然后，通过第四光蚀刻制程形成一画素电极于栅极绝缘层和部分漏极上，其中画素电极与对应的漏极电性连接。最后，形成一钝化层覆盖在画素电极、源极、漏极、半导体层和绝缘层之上，并通过第五光蚀刻制程图案化。

本发明还提供了一种FFS型液晶显示器阵列基板，这种阵列基板包含：一基板，一栅极线、一数据线和一薄膜晶体管位于该基板上，其中该薄膜晶体管包含一栅极电性连接该栅极线，一栅极绝缘层位于栅极之上，一半导体层位于栅极绝缘层上，一源极和一漏极位于半导体层之上，其中该源极电性连接该数据线。该阵列基板还包括一共通电极，其中该共通电极、该栅极和该栅极线三者共平面；一画素电极位于栅极绝缘层和部分漏极之上，并电性连接对应的漏极；一钝化层位于画素电极、源极、漏极、半导体层和绝缘层之上。

为让本发明的的内容让习之技艺者更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明。

【附图说明】

图1A是第一光蚀刻制程第一步骤示意图。

图1B是第一光蚀刻制程第二步骤示意图。

图1C是第一光蚀刻制程第三步骤示意图。

图2A是第一光蚀刻制程后正视示意图。

图2B是第一光蚀刻制程后剖视示意图。

图3A是第二光蚀刻制程后正视示意图。

图3B是第二光蚀刻制程后剖视示意图。

图4A是第三光蚀刻制程后正视示意图。

图4B是第三光蚀刻制程后剖视示意图。

图5A是第四光蚀刻制程后正视示意图。

图5B是第四光蚀刻制程后剖视示意图。

图6A是第五光蚀刻制程后正视示意图。

图6B是第五光蚀刻制程后剖视示意图。

图6C是另一种实施方式中数据线连接垫电极的剖视示意图。

【具体实施方式】