[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

多个串，所述多个串中的每个具有在多个字线之上垂直层叠的有源层；

至少一个位线连接单元，所述位线连接单元垂直地形成在所述字线的一个端部之上并具有阶梯形；以及

多个位线，所述多个位线中的每个与所述位线连接单元的多个有源区中的每个耦合。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中每个位线与同一有源层的全部的串耦合。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述多个串沿与所述位线相同的方向延伸。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中具有阶梯形的位线连接单元的阶梯的数量与所述有源层的数量相同。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器件，其中具有阶梯形的位线连接单元沿着朝向所述位线连接单元的最上层有源区的方向阶梯式上升。

6.如权利要求4所述的非易失性存储器件，其中具有阶梯形的位线连接单元的每个阶梯的表面积相同。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述多个串被形成为由至少一个缝隙分成的多于一个的独立的块。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器件，其中所述位线连接单元关于所述缝隙对称地形成。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

多个位线插塞，所述多个位线插塞中的每个连接在所述具有阶梯形的位线连接单元的每个有源区与每个所述位线之间。

10.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述具有阶梯形的位线连接单元的每个有源区由高导电性金属或重掺杂的N⁺多晶硅形成。

11.如权利要求10所述的非易失性存储器件，还包括：

硅化物层，当所述具有阶梯形的位线连接单元的每个有源区由高导电性金属形成时，在所述具有阶梯形的位线连接单元的每个有源区与每个位线插塞之间形成有所述硅化物层。

12.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述字线与所述位线连接单元彼此绝缘。

13.一种制造非易失性存储器件的方法，包括：

在多个字线之上形成具有交替层叠的多个有源层和多个电介质层的多层结构；

通过刻蚀所述多层结构的一个端部，形成具有阶梯形的有源层的至少一个位线连接单元；

在所述位线连接单元中形成阶梯形的有源区；

形成多个位线插塞，所述位线插塞中的每个与所述位线连接单元的每个有源区连接；并且

形成多个位线，所述多个位线中的每个与所述位线插塞中的每个连接。

14.如权利要求13所述的方法，其中在所述位线连接单元中形成阶梯形的有源区包括：

去除所述位线连接单元的每个阶梯形的有源层；并且

在所述位线连接单元的每个被去除的有源层之处形成高导电性金属或重掺杂的N⁺多晶硅。

15.如权利要求14所述的方法，还包括：

当所述位线连接单元的阶梯形的有源区由高导电性金属形成时，在所述位线连接单元的每个阶梯形的有源区与每个所述位线插塞之间形成硅化物层。

16.如权利要求13所述的方法，其中在所述位线连接单元中形成阶梯形的有源区包括：

对所述位线连接单元的每个阶梯形的有源区执行离子注入。

17.如权利要求13所述的方法，还包括：在形成至少一个位线连接单元之后：

通过刻蚀所述多层结构来形成沟槽；并且

通过在所述沟槽的侧壁之上形成隧道绝缘层、电荷陷阱层、阻挡绝缘层、控制栅电极来形成多个串。

18.如权利要求17所述的方法，还包括：

当形成所述沟槽时，形成连接在所述位线连接单元与所述多个串之间的连接单元。

19.如权利要求13所述的方法，还包括：

在形成至少一个位线连接单元之后形成至少一个缝隙，所述至少一个缝隙将所述多层结构分成多于两个的独立的块。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述位线连接单元关于所述缝隙对称地形成。

21.如权利要求13所述的方法，其中所述字线、所述位线连接单元以及所述多层结构借助于所述多层结构的最下层的电介质层而彼此绝缘。