[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一晶粒，具有一半导体基底；

一封装层，设置于该半导体基底之上；以及

一间隔层，设置于该半导体基底与该封装层之间，其中由该半导体基底、该间隔层与该封装层所构成的一表面具有一凹陷部。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该凹陷部围绕该间隔层形成一环状凹陷部。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该间隔层的形状为一矩形，且该凹陷部设置于该矩形的各角落、各边或前述的组合。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该凹陷部位于该半导体基底与该封装层之间。

5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一周边接垫区与一元件区，其中该周边接垫区围绕该元件区；

多个导电垫，设置于该周边接垫区上；以及

一密封环，设置于该周边接垫区上，且围绕所述导电垫。

6.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，该密封环位于该间隔层的范围内。

7.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一导通孔，设置于该半导体基底的一表面上以暴露出所述导电垫；

一绝缘层，设置于该半导体基底的该表面上，且延伸至该导通孔的侧壁上；

一导线层，设置于该绝缘层上，且延伸至该导通孔的底部，以与所述导电垫电性连接；

一保护层，覆盖该导线层与该绝缘层，且具有一开口，以暴露出部分的该导线层；以及

一导电凸块，设置于该保护层的该开口中，以与该导线层电性连接。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一间隙形成于该封装层与该半导体基底的该晶粒之间，且该间隙被该间隔层所围绕。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该间隔层的材料包括感光绝缘材料。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一粘着层设置于该间隔层与该半导体基底之间，或设置于该间隔层与该封装层之间。

11.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体晶圆，包含多个晶粒，任两个相邻的晶粒之间包括一切割道；

提供一封装层；

形成多个间隔层于该半导体晶圆的所述晶粒与该封装层之间，其中对应每一晶粒的每一间隔层互相分离，且该间隔层自该晶粒边缘向内退缩形成一凹陷部；

接合该半导体晶圆与该封装层；以及

沿着该切割道分割该半导体晶圆以形成多个晶片封装体。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该凹陷部围绕该间隔层形成一环状凹陷部。

13.根据权利要求11所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该间隔层的形状为一矩形，且该凹陷部位于该矩形的各角落、各边或前述的组合。

14.根据权利要求11所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该晶粒包括一周边接垫区与一元件区，且该周边接垫区围绕该元件区。

15.根据权利要求14所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，多个导电垫，形成于该周边接垫区上；以及一密封环，形成于该周边接垫区上，且围绕所述导电垫，其中任两个相邻的该密封环之间定义该切割道。

16.根据权利要求15所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该密封环位于该间隔层的范围内。

17.根据权利要求15所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括：

形成一导通孔于该半导体基底的一表面上以暴露出该导电垫；

形成一绝缘层于该半导体基底的该表面上，且延伸至该导通孔的侧壁上；

形成一导线层于该绝缘层上，且延伸至该导通孔的底部，以与所述导电垫电性连接；

形成一保护层，覆盖该导线层与该绝缘层；

形成一开口于该保护层中，以暴露出部分的该导线层；以及

形成一导电凸块于该保护层的该开口中以与该导线层电性连接。