[发明专利]晶片封装体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种晶片封装体，特别有关于一种晶片封装体的间隔层结构设计及其制造方法。

背景技术

目前业界针对晶片的封装已发展出一种晶圆级封装技术，半导体晶圆通常与玻璃基板接合在一起，并在半导体晶圆与玻璃基板之间设置间隔层。于晶圆级封装体完成之后，在各晶片之间进行切割步骤以形成晶片封装体。

在现有的晶片封装体中，半导体基底、间隔层与玻璃基板之间为连续的界面，由于各层的材料不同，膨胀系数也不同，因此当现有的晶片封装体受到高温影响下，半导体基底、间隔层与玻璃基板之间会产生脱层的现象，使得水气及空气进入晶片封装体，导致现有的晶片封装体发生电性不良。

因此，业界亟需一种晶片封装体，其可以克服上述问题，避免晶片封装体产生脱层现象。

发明内容

本发明提供一种晶片封装体，包括一具有晶粒的半导体基底、设置于半导体基底之上的封装层以及设置于半导体基底与封装层之间的间隔层，其中由半导体基底、间隔层与封装层所构成的表面具有凹陷部，此凹陷部位于半导体基底与封装层之间，使得半导体基底、间隔层以及封装层形成一不连续的界面。

本发明所述的晶片封装体，该凹陷部围绕该间隔层形成一环状凹陷部。

本发明所述的晶片封装体，该间隔层的形状为一矩形，且该凹陷部设置于该矩形的各角落、各边或前述的组合。

本发明所述的晶片封装体，该凹陷部位于该半导体基底与该封装层之间。

本发明所述的晶片封装体，还包括：一周边接垫区与一元件区，其中该周边接垫区围绕该元件区；多个导电垫，设置于该周边接垫区上；以及一密封环，设置于该周边接垫区上，且围绕所述导电垫。

本发明所述的晶片封装体，该密封环位于该间隔层的范围内。

本发明所述的晶片封装体，还包括：一导通孔，设置于该半导体基底的一表面上以暴露出所述导电垫；一绝缘层，设置于该半导体基底的该表面上，且延伸至该导通孔的侧壁上；一导线层，设置于该绝缘层上，且延伸至该导通孔的底部，与所述导电垫电性连接；一保护层，覆盖该导线层与该绝缘层，且具有一开口，暴露出部分的该导线层；以及一导电凸块，设置于该保护层的该开口中，与该导线层电性连接。

本发明所述的晶片封装体，还包括一间隙形成于该封装层与该半导体基底的该晶粒之间，且该间隙被该间隔层所围绕。

本发明所述的晶片封装体，该间隔层的材料包括感光绝缘材料。

本发明所述的晶片封装体，还包括一粘着层设置于该间隔层与该半导体基底之间，或设置于该间隔层与该封装层之间。

此外，本发明还提供一种晶片封装体的制造方法，包括：提供一半导体晶圆，包含多个晶粒，任两个相邻的晶粒之间包括一切割道；提供一封装层；形成多个间隔层于半导体晶圆的所述晶粒与封装层之间，其中对应每一晶粒的每一间隔层互相分离，且此间隔层自晶粒边缘向内退缩形成凹陷部；接合半导体晶圆与封装层；以及沿着切割道分割半导体晶圆以形成多个晶片封装体。

本发明所述的晶片封装体的制造方法，该凹陷部围绕该间隔层形成一环状凹陷部。

本发明所述的晶片封装体的制造方法，该间隔层的形状为一矩形，且该凹陷部位于该矩形的各角落、各边或前述的组合。

本发明所述的晶片封装体的制造方法，该晶粒包括一周边接垫区与一元件区，且该周边接垫区围绕该元件区。

本发明所述的晶片封装体的制造方法，多个导电垫，形成于该周边接垫区上；以及一密封环，形成于该周边接垫区上，且围绕所述导电垫，其中任两个相邻的该密封环之间定义该切割道。

本发明所述的晶片封装体的制造方法，该密封环位于该间隔层的范围内。

本发明所述的晶片封装体的制造方法，还包括：形成一导通孔于该半导体基底的一表面上以暴露出该导电垫；形成一绝缘层于该半导体基底的该表面上，且延伸至该导通孔的侧壁上；形成一导线层于该绝缘层上，且延伸至该导通孔的底部，与所述导电垫电性连接；形成一保护层，覆盖该导线层与该绝缘层；形成一开口于该保护层中，暴露出部分的该导线层；以及形成一导电凸块于该保护层的该开口中以与该导线层电性连接。

本发明所述的晶片封装体的制造方法，还包括形成一间隙于该封装层与该半导体基底的该晶粒之间，其中该间隙被该间隔层所围绕。

本发明所述的晶片封装体的制造方法，形成该间隔层的步骤包括曝光及显影制程。

本发明所述的晶片封装体的制造方法，还包括形成一粘着层于该间隔层与该半导体基底之间，或者于该间隔层与该封装层之间。

本发明能够避免晶片封装体产生脱层现象。

附图说明