[发明专利]堆栈式封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种堆栈式封装结构的制造方法，包括：

(a)提供一晶圆，该晶圆具有一第一表面及一第二表面；

(b)提供数个第一晶粒，每一该第一晶粒包括一第一晶粒本体、数个连通柱及数个凸块，该第一晶粒本体包括一第一表面及一第二表面，这些连通柱突出于该第二表面，这些凸块邻接于该第一表面且电性连接这些连通柱；

(c)覆晶接合这些第一晶粒至该晶圆的第一表面，其中这些连通柱电性连接至该晶圆的第一表面；

(d)将这些第一晶粒及该晶圆进行回焊；

(e)形成一第一保护层于这些第一晶粒及该晶圆的第一表面之间以保护这些连通柱；

(f)于步骤(d)之后，从该晶圆的第二表面薄化该晶圆；

(g)切割该晶圆以形成数个复合晶粒；

(h)提供一基板，该基板具有一第一表面及一第二表面；

(i)形成一第二保护层于该基板的第一表面；

(j)将这些复合晶粒接合至该基板的第一表面上，其中这些凸块位于该第二保护层内；及

(k)切割该基板，以形成数个堆栈式封装结构。

2.如权利要求1的方法，其中该步骤(a)中，该晶圆为一整片材质相同的晶圆，其具有数个条切割线，这些切割线定义出数个第二晶粒，步骤(b)中，这些第一晶粒的宽度小于这些第二晶粒的宽度，且该步骤(g)中，每一复合晶粒包括一第一晶粒及一第二晶粒。

3.如权利要求1的方法，其中该步骤(a)中，该晶圆包括数个第二晶粒及一绝缘层，这些第二晶粒彼此间隔，该绝缘层位于这些第二晶粒间之间隔内，步骤(b)中，这些第一晶粒的宽度大于这些第二晶粒的宽度，且该步骤(g)中，每一复合晶粒包括一第一晶粒、一第二晶粒及部份绝缘层。

4.如权利要求1的方法，其中该步骤(e)的第一保护层与该步骤(i)的第二保护层不同。

5.如权利要求1的方法，其中该步骤(h)之后更包括一形成数个内焊球于该基板的第一表面的步骤，且该步骤(i)的第二保护层形成于这些内焊球之间。

6.如权利要求1的方法，其中该步骤(j)之后更包括：

(j1)形成一封胶材料于该基板的第一表面以包覆这些复合晶粒；及

(j2)形成数个开口于该封胶材料以显露这些内焊球。

7.一种堆栈式封装结构，包括：

一基板，具有一第一表面及一第二表面；

一第一晶粒，接合于该基板，该第一晶粒包括一第一晶粒本体、数个连通柱及数个凸块，该第一晶粒本体包括一第一表面及一第二表面，这些连通柱突出于该第二表面，这些凸块邻接于该第一表面且电性连接这些连通柱，且这些凸块电性连接该基板的第一表面；

一第二保护层，位于该基板的第一表面及该第一晶粒本体的第一表面之间，以保护这些凸块；

一第二晶粒，具有一第一表面及一第二表面，该第二晶粒利用回焊工艺而与该第一晶粒的这些连通柱接合；及

一第一保护层，位于该第一晶粒本体的第二表面及该第二晶粒的第一表面之间，以保护这些连通柱。

8.如权利要求7的堆栈式封装结构，其中这些连通柱突出的一端具有一表面处理层。

9.如权利要求7的堆栈式封装结构，其中该第一晶粒更包括一钝化层及一重布层，该钝化层位于该第一晶粒本体的第二表面，且该重布层位于该第一晶粒本体的第一表面。

10.如权利要求7的堆栈式封装结构，其中该第一晶粒的宽度小于该第二晶粒的宽度。

11.如权利要求7的堆栈式封装结构，其中该第一晶粒的宽度大于该第二晶粒的宽度。

12.如权利要求7的堆栈式封装结构，其中该第一保护层为一底胶，该第二保护层为一非导电胶，该第二保护层的黏度大于该第一保护层的黏度。