[发明专利]一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，具体步骤如下：

1-1)  在锗基衬底上制作MOS晶体管结构；

1-2)  源漏区域上淀积一高k介质层，该介质层的光频介电常数ε_∞＜4.5以及导带偏移量ΔE_C＜2eV；

1-3)  溅射低功函数金属薄膜；

1-4)  形成金属源漏；

1-5)  形成接触孔、金属连线。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1-1)具体包括：

2-1)在衬底上制作隔离区；

2-2)淀积栅介质层；

2-3)形成栅结构；

2-4)形成侧墙结构。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述锗基衬底是体锗衬底、锗覆绝缘衬底(GOI)或外延锗衬底。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述肖特基晶体管的源、漏制作成提升、凹陷结构或者FinFET。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高k介质层为氧化钇(Y₂O₃)、氧化铪(HfO₂)或氧化锆(ZrO₂)。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，高k介质层的厚度为1～3nm。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1-3)的金属薄膜为铝膜或其他低功函数金属膜。