[发明专利]非易失性存储器及其读取电路

权利要求书

1.一种非易失性存储器的读取电路，包括用于产生于与位线电流相同的镜像电流的镜像单元以及根据镜像电流读取存储单元数据的数据读取单元，其特征在于，还包括：与所述位线连接的预充电单元以及预放电单元；所述预充电单元以及预放电单元分别将位线的初始电位与目标电位相比较，对位线充电或放电，将位线电位钳位至目标电位。

2.如权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述预充电单元包括充电开关以及充电钳位器；所述充电开关连接至电源线，充电钳位器连接至位线；所述充电开关用于接收外部输入的第一控制信号，开启或关闭预充电单元；所述充电钳位器用于在充电时，将位线电位钳位至目标电位。

3.如权利要求2所述的读取电路，其特征在于，所述充电开关为场效应晶体管，源极与电源线连接，漏极与充电钳位器连接，栅极接收所述控制信号。

4.如权利要求2所述的读取电路，其特征在于，所述充电钳位器包括：漏极与充电开关连接，源极与位线连接的第一MOS管；正端输入目标电位，负端输入位线电位，输出端连接第一MOS管的栅极的运放比较器。

5.如权利要求4所述的读取电路，其特征在于，当位线电位低于目标电位时，运放比较器输出高电平，使得第一MOS管导通。

6.如权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述预放电单元包括放电开关以及放电钳位器；所述放电开关连接至地线，放电钳位器连接至位线；所述放电开关用于接收外部输入的第二控制信号，开启或关闭预放电单元；所述放电钳位器用于在放电时，将位线电位钳位至目标电位。

7.如权利要求6所述的读取电路，其特征在于，所述放电开关为场效应晶体管，源极与地线连接，漏极与放电钳位器连接，栅极接收所述控制信号。

8.如权利要求6所述的读取电路，其特征在于，所述放电钳位器包括：源极与放电开关连接，漏极与位线连接的第二MOS管；负端输入目标电位，正端输入位线电位，输出端连接第二MOS管的栅极的运放比较器。

9.如权利要求8所述的读取电路，其特征在于，当位线电位高于目标电位时，运放比较器输出高电平，使得第二MOS管导通。

10.如权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述镜像单元为镜像电流源电路，其电流源端与位线连接，输出端与数据读取单元连接。

11.如权利要求10所述的读取电路，其特征在于，所述数据读取单元包括参考电流源以及缓冲寄存器；所述缓冲寄存器用于暂存存储单元数据，其输入端连接镜像单元输出端以及参考电流源的输出端。

12.一种包括权利要求1至11任意一项所述读取电路的非易失性存储器。