[发明专利]一种LED驱动芯片

权利要求书

1.一种LED驱动芯片，其特征在于：内部电路结构包括电压分配模块，缓冲-电压比较模块，电压输入模块和半导体场效应晶体管MOSFET组成，其中：

MOSFET Q1的源极与地电位相连，栅极连接于缓冲-电压比较模块1的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，缓冲-电压比较模块1的另一个输入端分别连接至串联电阻R1和R2之间的连接点处，缓冲-电压比较模块1输出端与MOSFET Q2的栅极相连，MOSFET Q1的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED的串联线路上；

MOSFET Qn(n＞1)的源极通过电阻或能够等效为电阻的元件组与地电位相连，栅极连接于缓冲-电压比较模块n的一个输入端、同时连接于缓冲-电压比较模块n-1的输出端，缓冲-电压比较模块n的另一个输入端连接至串联电阻R2n-1和R2n之间的连接点处，MOSFETQn的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED的串联线路上；

所述外部LED的串联线路的起始端连接于电压输入模块的输出端上；

上述分别由R1和R2，R2n-1和R2n组成的n条支路，并联组成电压分配模块，所述电压输入模块的输出端通过电压分配模块连接于地电位。

2.如权利要求1所述LED驱动芯片，其特征在于：电压输入模块为一增强型金属-氧化层-半导体场效应晶体管MOSFET Q0，其栅极与外部电压输入端连接，漏极经一电阻Rx或能够等效为电阻Rx的元件组连接于地电位，源极经电压分配模块连接于地电位，且源极与MOSFET Q1的栅极相连。

3.如权利要求1所述LED驱动芯片，其特征在于：所述MOSFETQ1-Qn均为V型槽场效应晶体管VMOS。

4.如权利要求1所述LED驱动芯片，其特征在于：还包括功率因数校正部分，所述功率因数校正部分为一个三极管，其集电极通过一正向连接的二极管与基极连接，发射极通过一反向连接的二极管与地电位连接；外部电压输入端串联接入一电感后联结至所述三极管的集电极上。