[发明专利]一种LED驱动芯片

说明书

技术领域

本发明涉及LED照明设备的驱动部件，尤其是可调LED照明设备的驱动芯片部件。

背景技术

随着当今电子技术和电子产业的发展，LED照明设备已经被广泛的应用于人们的生活和生产中，同时LED照明设备因其低能耗、环保，控制方便等优点，具有极好的市场前景。但目前，在照明领域内，LED在技术上仍存在一些不尽如人意的弊端，在传统的LED相关驱动电路方面，仍存在以下不足：

(1)传统的LED驱动电路体积仍不够小巧，其内部通常有20多件无源元件，插件与装配相对繁琐，且这些内部电子元件的使用寿命限制了LED照明装置的整体使用寿命，例如传统LED驱动电路中的电解电容的寿命在高温105℃情况下，均在5000小时以下，因此LED照明设备常随着电解电容的失效而无法使用。

(2)传统的LED驱动电路功率因数PF通常小于85％，仍有待进一步提高。

发明内容

本发明的目的是针对上述传统的LED驱动电路的缺陷，提供一种新型的LED驱动芯片作为LED驱动装置取代传统的LED驱动电路，所述驱动芯片体积小巧，使用稳定，大大提升了LED照明装置的性能，同时降低了成本。

为达上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种LED驱动芯片，其特征在于：内部电路结构包括电压分配模块，缓冲-电压比较模块，电压输入模块和半导体场效应晶体管MOSFET组成，其中：

MOSFET Q1的源极与地电位相连，栅极连接于缓冲-电压比较模块1的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，缓冲-电压比较模块1的另一个输入端分别连接至串联电阻R1和R2之间的连接点处，缓冲-电压比较模块1输出端与MOSFET Q2的栅极相连，MOSFET Q1的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED的串联线路上；

MOSFET Qn(n＞1)的源极通过电阻或能够等效为电阻的元件组与地电位相连，栅极连接于缓冲-电压比较模块n的一个输入端、同时连接于缓冲-电压比较模块n-1的输出端，缓冲-电压比较模块n的另一个输入端连接至串联电阻R2n-1和R2n之间的连接点处，MOSFETQn的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED的串联线路上；

所述外部LED的串联线路的起始端连接于电压输入模块的输出端上；

上述分别由R1和R2，R2n-1和R2n组成的n条支路，并联组成电压分配模块，所述电压输入模块的输出端通过电压分配模块连接于地电位。

本发明还可采用以下技术方案进一步实现：

所述电压输入模块为一增强型金属-氧化层-半导体场效应晶体管MOSFET Q0，其栅极与外部电压输入端连接，漏极经一电阻Rx或能够等效为电阻Rx的元件组连接于地电位，源极经电压分配模块连接于地电位，且源极与MOSFET Q1的栅极相连；

所述MOSFET Q1-Qn均为V型槽场效应晶体管VMOS，以利用VMOS耐压高，输出电流大等优点。

所述LED驱动芯片的电路结构还包括功率因数校正部分，所述功率因数校正部分为一个三极管，其集电极通过一正向连接的二极管与基极连接，发射极通过一反向连接的二极管与地电位连接；外部电压输入端串联接入一电感后联结至所述三极管的集电极上。

通过上述的技术方案，使本发明所述LED驱动芯片装置可完全替代现有的传统LED驱动装置电路，无需外接器件，大大缩小了LED驱动电路模块的体积，同时大大提升了LED照明装置的功率因数，降低了成本。

附图说明

图1为本发明所述LED驱动芯片装置的内部电路图。

其中：Q0-Q6、金属-氧化层-半导体场效应晶体管MOSFET；

Qi、三极管

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明。

参见附图1所示，本发明的工作原理如下：

本发明的电压输入模块为一增强型金属-氧化层-半导体场效应晶体管MOSFET Q0，外部电压输入端VI N与Q0的栅极连接，Q0的漏极经一电阻Rx连接于地电位，Q0的源极经电压分配模块连接于地电位。本实施例中驱动的LED照明装置为6个LED灯段，每段LED由两个LED灯组成，其中每个LED灯均由6个LED发光二极管串联而成。每个LED的压降为3V，因此每个LED灯段全亮时两端电压为3×12＝36V。