[发明专利]晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201110029642.0 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102122669A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 冯雪;唐树澍;吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的源区和漏区，所述源区和漏区之间的半导体衬底为沟道区，其特征在于，还包括：
位于所述沟道区下方的半导体衬底内的隔离层，所述隔离层用于防止所述源区和漏区之间的漏电流，所述隔离层的宽度小于所述栅极结构的宽度。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述隔离层的材质为绝缘材质，所述绝缘材质为氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述隔离层上方的沟道区的深度范围为0.02～0.04微米。
4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极结构的宽度范围为0.05～0.4微米，所述隔离层的宽度范围为0.05～0.07微米。
5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述隔离层的厚度范围为0.03～1微米。
6.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体衬底包括：
第一衬底；
外延层，位于所述第一衬底上，所述栅极结构位于所述外延层上方，所述源区和漏区位于所述栅极结构两侧的外延层内，所述沟道区位于所述源区和漏区之间的外延层内，所述隔离层位于所述外延层内。
7.一种制作如权利要求1所述的晶体管的方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面形成栅极结构；
在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区，所述源区和漏区之间的半导体衬底为沟道区；
在所述沟道区下方的半导体衬底内形成隔离层，所述隔离层的宽度小于所述栅极结构的宽度，所述隔离层用于防止所述源区和漏区之间漏电流。
8.如权利要求7所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述隔离层的材质为绝缘材质，所述绝缘材质为氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅中的一种或多种。
9.如权利要求7所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述隔离层上方的沟道区的深度范围为0.02～0.04微米。
10.如权利要求7所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极结构的宽度范围为0.05～0.4微米，所述隔离层的宽度范围为0.05～0.07微米。
11.如权利要求7所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述隔离层的厚度范围为0.03～1微米。
12.如权利要求7所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底的制作方法包括：
提供第一衬底；
在所述第一衬底上形成外延层；
在所述外延层表面形成所述栅极结构；
在所述栅极结构两侧的外延层内形成源区和漏区，所述源区和漏区之间的外延层为有源区；
在所述有源区下方的外延层内形成隔离层，所述隔离层的宽度小于所述栅极结构的宽度。
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