[发明专利]硅薄膜/铜铟镓硒双结薄膜电池工艺

权利要求书

1.硅薄膜/铜铟镓硒双结薄膜电池其特征在于：结合了硅薄膜和铜铟镓硒薄膜太阳电池特点，提高双结薄膜电池的光电转换效率。

2.如专利权利要求书1所述的硅薄膜/铜铟镓硒双结薄膜电池，该电池结构的特征在于：该双结薄膜电池分为上电池和下电池，上电池为铜铟镓硒薄膜电池，下电池为硅薄膜电池。

3.如专利权利要求书1，2所述的硅薄膜/铜铟镓硒双结薄膜电池，该电池的制备技术的特征在于：1)在导电玻璃等导电基体上沉积p-Si，再在p-Si衬底上沉积上n-Si形成p-n型硅薄膜下电池。2)使用磁控溅射或等离子体增强化学气相沉积技术沉积n⁺-ZnO薄膜，共蒸发或溅射后硒化技术沉积CuGaSe₂和Cu(In，Ga)Se₂等薄膜，磁控溅射或化学气相沉积技术沉积i-ZnO、ZnO:Al。制备硅薄膜/铜铟镓硒双结薄膜电池，通过制备条件的优化使其镀层的稳定性好、结合力强、分散均匀、与硅薄膜下电池的结合性佳等优点，最终使得该双结薄膜电池达到较高的光电转换效率。

4.如专利权利要求书2，3所述的硅薄膜/铜铟镓硒双结薄膜电池，可以通过改变硅薄膜和铜铟镓硒薄膜中各层的薄膜厚度和成分，可以得到一系列具有不同性能的硅薄膜/铜铟镓硒双结薄膜电池。