[发明专利]发光二极管的制法

权利要求书

1.一种发光二极管的制法，包含前段制程、制作电极以及切割步骤，且制作电极后形成半成品，其特征在于：在该制作电极步骤与切割步骤之间进一步包含一化学成膜步骤，该化学成膜步骤包括：

提供一溶液，该溶液为碱性且含氧量高；以及

浸泡，将所述半成品浸泡于该溶液中，使半成品本身与溶液产生反应，而于该半成品的预定处形成一层氧化层。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制法，其特征在于，该半成品本身具有铝、镓和砷，该铝、镓和砷与所述溶液反应而形成所述的氧化层。

3.如权利要求2所述的发光二极管的制法，其特征在于，该半成品本身与溶液的化学反应式为：

2Al³⁺+6OH^-→2Al₂(OH)₃→Al₂O₃+3H₂

2Ga³⁺+6OH^-→2Ga₂(OH)₃→Ga₂O₃+3H₂

2As³⁺+6OH^-→2As₂(OH)₃→As₂O₃+3H₂

，用以得到氧化铝、氧化镓和氧化砷而混合成所述的氧化层。

4.如权利要求2所述的发光二极管的制法，其特征在于，该溶液为氨水和双氧水的混合溶液。

5.如权利要求4所述的发光二极管的制法，其特征在于，该混合溶液中的氨水和双氧水的比例为1∶50～1∶150。

6.如权利要求1所述的发光二极管的制法，其特征在于，进一步包含均匀手段，该均匀手段是在让所述氧化层的形成能更为均匀。

7.如权利要求6所述的发光二极管的制法，其特征在于，该均匀手段包括：表面氧化物的移除，是在移除该半成品的预定处表面上的氧化物。

8.如权利要求7所述的发光二极管的制法，其特征在于，该表面氧化物的移除，是在化学成膜前，以稀释氢氟酸的混合溶液来处理所述半成品的表面，所述的氧化层即形成于此一表面。

9.如权利要求7所述的发光二极管的制法，其特征在于，该表面氧化物的移除，是在化学成膜前，以硫酸、双氧水和水采用3∶1∶1的比例混合形成的混合溶液来处理所述半成品的表面，所述的氧化层即形成于此一表面。

10.如权利要求6所述的发光二极管的制法，其特征在于，该均匀手段包括：低温控制，是将温度控制在5℃以上、25℃以下。

11.如权利要求6所述的发光二极管的制法，其特征在于，该均匀手段包括：角度控制，是在控制该半成品的摆放角度须与地平面间存在有5～35度的倾斜角度。

12.如权利要求6所述的发光二极管的制法，其特征在于，该均匀手段包括：浸泡控制，是须使溶液完全盖过所述的半成品。

13.如权利要求6所述的发光二极管的制法，其特征在于，该均匀手段包括：隔离控制，该半成品的预定处与溶液之间具有第一反应速率，该半成品的其它处与溶液之间具有第二反应速率，该隔离控制则是在将该半成品的预定处与其它处之间予以隔离。

14.如权利要求13所述的发光二极管的制法，其特征在于，所述半成品具有铝砷化镓层、背面金属层以及位于该铝砷化镓层与背面金属层之间的砷化镓层，该半成品还具有设置于该铝砷化镓层表面的电极，所述氧化层则亦形成于该铝砷化镓层的表面；至于该隔离控制则包括：

于该铝砷化镓层的表面形成有多道沟槽；以及

于各该沟槽内填入隔离剂而做为隔离之用。

15.如权利要求14所述的发光二极管的制法，其特征在于，该隔离控制之后接着进行化学成膜步骤，而于化学成膜步骤之后则须去除所填入的该些隔离剂。

16.如权利要求14所述的发光二极管的制法，其特征在于，该这些沟槽即为进行切割步骤时的预定切割线。