[发明专利]发光二极管的制法有效
申请号: | 201110030383.3 | 申请日: | 2011-01-19 |
公开(公告)号: | CN102610708A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 龚正;陈怡宏;刘建政 | 申请(专利权)人: | 鼎元光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/44;C23C22/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 制法 | ||
技术领域
本发明是关于一种发光二极管的制法,特别是指一种能提升发光二极管在高湿度下的寿命的发光二极管的制法。
背景技术
由于发光二极管(LED:Light Emitting Diode)具有体积小、耗电低以及寿命长等优点,因此目前已广泛应用于家电、车辆、计算机外设产品、通讯产品以及照明产品等上,发光二极管已然成为新世代的光源,其重要性不言可喻。
至于上述发光二极管(俗称:晶粒)的制造,请参阅图1所示,现有的制法包含:前段制程(此为已知,故不另赘述,亦未绘制图式)S101、制作电极S102以及切割S103,换言之,现有的制法是在完成电极的制作之后,接着即进行切割,切割后即形成一颗颗如图2所示的发光二极管成品,该发光二极管1包括一铝砷化镓(AlGaAs)层11、一背面金属(Back side metal)层13以及一位于该铝砷化镓层11和背面金属层13之间的砷化镓(GaAs)层12,且还包括一设置于该铝砷化镓层11表面的电极(Bonding Pad)14。
惟,由于中国台湾四面环海,空气中的湿度较高,导致易于造成发光二极管的寿命偏短,更遑论世界上具有较高湿度的国家、地区亦所在多有,在此发光二极管已被高度应用的现在,如何解决发光二极管寿命偏短的问题,早已刻不容缓。
因此,如何设计出一种可提高发光二极管在高湿度下的寿命的本发明制法,乃为本案发明人所亟欲解决的一大课题。
发明内容
本发明的目的之一是在于提供一种可在预定处形成氧化层(即:钝化层)的发光二极管的制法,用以提升发光二极管在高湿度下的寿命。
本发明的目的之二则在于提供一种可提升氧化层(即:钝化层)均匀度的发光二极管的制法,用以让发光二极管在高湿度下提升寿命的效果,能因为氧化层(即:钝化层)的越均匀而越好。
为达上述目的,本发明提供一种发光二极管的制法,包含:前段制程、制作电极以及切割步骤,且制作电极后形成半成品,其特征在于:在该制作电极步骤与切割步骤之间进一步包含一化学成膜步骤,该化学成膜步骤包括:提供一溶液,该溶液为碱性且含氧量高;以及,浸泡,将所述半成品浸泡于该溶液中,使半成品本身与溶液产生反应,而于该半成品的预定处形成一层氧化层。由此,乃能提高发光二极管在高湿度下的寿命。
较佳者,本发明发光二极管的制法,进一步包含有均匀手段,该均匀手段是在让所述氧化层的形成能更为均匀。由此,以让发光二极管在高湿度下提升寿命的效果,能因为氧化层的越均匀而越好。
附图说明
图1为现有制法的流程图。
图2为依据现有制法所制出的发光二极管的结构示意图。
图3为本发明制法第一实施例的流程图。
图4为本发明制法第二实施例的流程图。
图5为依据本发明制法所制出的发光二极管的结构示意图。
图6为本发明于浸泡时所使用的控制装置的结构示意图。
图7为本发明制法于隔离控制时的示意图。
主要元件符号说明
1 发光二极管
11 铝砷化镓层 12 砷化镓层
13 背面金属层 14 电极
2 发光二极管
21 铝砷化镓层 22 砷化镓层
23 背面金属层 24 电极
25 钝化层 26 沟槽
27 砷化镓
3 控制装置
31 基座 32 斜架
33 容器 331 溶液液面 34 摆放制具
4 隔离剂
S301 前段制程
S303 制作电极
S305 化学成膜
S307 切割
S401 前段制程
S403 制作电极
S405 均匀手段
S407 化学成膜
S409 切割
具体实施方式
为了能够更进一步了解本发明的特征、特点和技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,惟所附图式仅提供参考与说明用,非用以限制本发明。
本发明提供一种发光二极管的制法,主要是在发光二极管上形成一混合的氧化层,此层即标示为钝化(Passivation)层,以可提高发光二极管在高湿度下的寿命,而且还能提升发光二极管的轴向亮度。如图3、图4所示是在分别揭示本发明制法的第一、二实施例。
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