[发明专利]系统级扇出晶圆封装方法无效
| 申请号： | 201110032270.7 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102169840A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 陶玉娟;石磊;高国华 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 系统 级扇出晶圆 封装 方法 | ||
1.系统级扇出晶圆封装方法，其特征在于，包括步骤：
在载板上形成胶合层；
将芯片和无源器件的功能面贴于所述胶合层上；
将载板贴有芯片和无源器件的一面形成封料层，进行封装固化；
去除所述载板和胶合层。
2.如权利要求1所述的系统级扇出晶圆封装方法，其特征在于：所述封料层还填充于所述芯片与芯片之间、芯片与无源器件之间和/或无源器件和无源器件之间的空间。
3.如权利要求1所述的系统级扇出晶圆封装方法，其特征在于：所述无源器件包括电容、电阻和电感。
4.如权利要求1所述的系统级扇出晶圆封装方法，其特征在于：所述封料层的材料为环氧树脂。
5.如权利要求1所述的系统级扇出晶圆封装方法，其特征在于：所述封料层通过转注、压缩或印刷的方法形成在所述芯片和无源器件上。
6.如权利要求1所述的系统级扇出晶圆封装方法，其特征在于：所述胶合层为UV胶。
7.如权利要求1所述的系统级扇出晶圆封装方法，其特征在于，所述去除所述载板和胶合层的步骤具体包括：
去除所述胶合层；
将载板与芯片和无源器件的功能面进行分离；
清洗所述芯片和无源器件的功能面。
8.如权利要求1所述的系统级扇出晶圆封装方法，其特征在于：所述芯片包括多个不同的芯片。
9.如权利要求1所述的系统级扇出晶圆封装方法，其特征在于：所述载板为玻璃载板。
10.如权利要求1所述的系统级扇出晶圆封装方法，其特征在于，还包括步骤：
在芯片和无源器件裸露的功能面形成金属再布线层；
在金属再布线层上形成保护膜层；
在保护膜层上形成暴露金属再布线层的开口；
在所述开口内形成与所述金属再布线层连接的球下金属层；
在球下金属层上形成金属锡球。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
