[发明专利]一种双极型晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201110032428.0 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102122643A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 吴小利 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双极型 晶体管 制作方法 | ||
1.一种双极型晶体管的制作方法，与CMOS晶体管制备过程相兼容，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，所述衬底包括CMOS晶体管制备区和双极型晶体管制备区；
在所述CMOS晶体管制备区和双极型晶体管制备区表面同时淀积形成第一氧化层后，刻蚀去除所述双极型晶体管制备区表面的第一氧化层；
在所述CMOS晶体管制备区和双极型晶体管制备区表面同时淀积形成多晶硅层；
对所述多晶硅层进行掺杂离子注入；
在所述CMOS晶体管制备区刻蚀所述多晶硅层形成栅极多晶硅的同时，在所述双极型晶体管制备区刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅发射极；
进行快速热氧化，形成第二氧化层，以修复刻蚀过程中对双极型晶体管制备区的损伤；
在所述栅极多晶硅两侧和所述多晶硅发射极两侧同步形成氧化物侧墙；
在CMOS晶体管制备区和双极型晶体管制备区同时自对准注入高掺杂离子，在所述双极型晶体管制备区中，所述多晶硅发射极两侧的衬底上形成非本征基区；
进行快速热退火工艺，将所述多晶硅发射极中的掺杂离子推进，以形成发射结。
2.如权利要求1所述的双极型晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为
3.如权利要求1所述的双极型晶体管的制作方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为
4.如权利要求1所述的双极型晶体管的制作方法，其特征在于，在对所述多晶硅层进行掺杂离子注入时，采用的掺杂离子的能量为20KeV～40KeV，掺杂浓度为4E15cm-2～5E15cm-2。
5.如权利要求2所述的双极型晶体管的制作方法，其特征在于，所述快速热氧化的时间为10s～50s，温度为1000℃-1300℃。
6.如权利要求1所述的双极型晶体管的制作方法，其特征在于，所述高掺杂离子的能量为20～60KeV，掺杂浓度为1E15cm-2～5E15cm-2。
7.如权利要求1所述的双极型晶体管的制作方法，其特征在于，所述快速热退火工艺的退火温度为1000℃～1100℃，退火时间为5s-20s。
8.如权利要求1所述的双极型晶体管的制作方法，其特征在于，所述双极型晶体管为NPN型或PNP型。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
