[发明专利]后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法有效
| 申请号： | 201110033785.9 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102122671A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈栋;胡正勋;张黎;陈锦辉;赖志明 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/367;H01L29/417;H01L23/482;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 后通孔互联型圆片级 mosfet 封装 结构 实现 方法 | ||
1. 一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，包括芯片本体（1-1），其特征在于：在所述芯片本体（1-1）正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2）；在芯片本体（1-1）、芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2）正面设置有芯片表面保护层（3）；在芯片本体（1-1）、芯片源电极（2-1）、芯片栅电极（2-2）和芯片表面保护层（3）的表面设置有正面线路层（4）；在正面线路层（4）和芯片表面保护层（3）表面设置有线路表面保护层（5）；在正面线路层（4）表面设置有焊球（7）；在芯片本体（1-1）正面和背面贯穿有芯片通孔（1-2）；在芯片本体（1-1）背面设置有线路层（6），以及在芯片通孔（1-2）内填充有线路层（6），且填充于芯片通孔（1-2）的线路层（6）与芯片通孔（1-2）侧壁直接接触、以及与正面线路层（4）形成互联。
2.根据权利要求1所述的一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，其特征在于：所述芯片通孔（1-2）是全孔、且线路层（6）没有密闭芯片通孔（1-2），而是留有空腔（6-1）。
3.根据权利要求1所述的一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，其特征在于：所述芯片通孔（1-2）是全孔、且线路层（6）密闭芯片通孔（1-2），没有留空腔。
4.根据权利要求1所述的一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，其特征在于：所述芯片通孔（1-2）是半孔，且线路层（6）没有密闭芯片通孔（1-2），而是留有空腔（6-1）。
5.一种如权利要求1所述后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构的实现方法，其特征在于：所述封装过程的起点为带有芯片源电极、芯片栅电极和芯片表面保护层的晶圆，通过下列过程得到封装后的MOSFET芯片：
1）、通过光刻、溅射、电镀、光刻胶剥离以及金属刻蚀工艺，形成正面线路层；
2）、通过光刻工艺形成线路表面保护层；
3）、通过减薄、光刻、硅刻蚀以及光刻胶剥离工艺，形成芯片通孔；
4）、通过金属淀积工艺如溅射、蒸发或镀膜，形成线路层；
5）、通过印刷焊料或电镀焊料或植放焊球、然后回流的方法形成焊球；
6）、通过晶圆切割分离的方法形成单颗MSOFET封装芯片。
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