[发明专利]一种铒离子掺杂氟化钙激光透明陶瓷材料的制备方法有效
申请号: | 201110034773.8 | 申请日: | 2011-01-31 |
公开(公告)号: | CN102126858A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 梅炳初;智广林;宋京红;周卫兵;李威威 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C04B35/553 | 分类号: | C04B35/553;C04B35/622 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 王守仁 |
地址: | 430071 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子 掺杂 氟化钙 激光 透明 陶瓷材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及稀土离子掺杂氟化钙激光透明陶瓷的制备方法,更确切地说涉及一种Er3+:CaF2激光透明陶瓷的制备方法,属于激光透明陶瓷制备技术领域。
背景技术
氟化钙(CaF2)晶体是一种优异的激光介质基体材料,其格位点阵对称多样性允许稀土离子高浓度掺杂,禁带宽度大(-12ev),透光范围广(125nm~10μm),折射率小(~1.434,Vis~NIR),声子能量低(~390cm-1),作为上转换激光材料非常有利于提高其转换效率。
目前研究最多的CaF2激光材料主要为CaF2单晶,随着泵浦技术的快速发展,Er+3 、Tm+3、Yb+3等三价稀土离子掺杂的 CaF2单晶在室温下可以获得令人感兴趣的激光性能。但制备单晶与制备相应的陶瓷相比,毕竟需要昂贵的特殊设备和复杂的工艺,生长周期长(1~2月),成本高。另一方面单晶不利于稀土离子的高浓度、均匀掺杂。基于单晶制造的上述缺点,学者们提出采用透明陶瓷取代单晶的设想,其研究始于上世纪60年代,例如:
Hatch制备出Dy2+: CaF2激光陶瓷(参见文献Hatch SE, Parsons WF, Weagley RJ. Hot-Pressed Polycrystalline CaF2:Dy2+ Laser[J]. Appl Phys Lett. 1964,5:153-154.),然而由于泵浦技术的落后,需在超低温下才能实现激光输出,因此随后几十年的激光陶瓷的研究陷入沉寂。
至1995年,日本学者Akesue(参见文献Ikesue A, Kinoshita T, Kamata K, Yoshida K. Fabrication and Optical Properties of High-Performance Polycrystalline Nd:YAG Ceramics for Solid-State Lasers[J]. J Am Ceram Soc. 1995,78(4):1033-1040.)和Yanagitani(参见文献Yanagitani T, Yagi H, Yamasaki Y, inventors; Production of yttrium aluminium garnet fine powders for transparent YAG ceramic[P]. Japan: 10-101411.1998.),采用固相反应烧结先后制备出Nd:YAG激光陶瓷,掀起了激光陶瓷研究的热潮。
目前关于CaF2激光陶瓷的报道不多,2007年T.T. Basiev提出对单晶采用热压的方式促使其发生晶格断裂和畸变(参见文献Basiev T, Voronov V, Konyushkin V, et al. Optical lithium fluoride ceramics[J]. Doklady Physics. 2007,52(12):677-680.),从而得到多晶陶瓷,但其起始材料仍为单晶。K. V.Dukel'ski提出采用热压方式制备了稀土离子掺杂氟化钙激光陶瓷(参见文献Dukel'ski KV, Mironov IA, Demidenko VA, et al. Optical fluoride nanoceramic[J]. J Opt Technol. 2008,75(11):728-736.),其模具采用钼合金,压力高达250MPa,烧结温度为1250oC,而且对原料粉末要求很高。2009年P.Aubry等报道了Yb3+:CaF2激光陶瓷的制备及光学性能研究,其最高透过率仅为55%(参见文献Aubry P, Bensalah A, Gredin P, Patriarche G, Vivien D, Mortier M. Synthesis and optical characterizations of Yb-doped CaF2 ceramics[J]. Opt Mater. 2009,31(5):750-753.)。
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