[发明专利]半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置的方法，包括：

在第一衬底上形成第一释放层；

在所述第一释放层上形成晶体管；

在所述晶体管上形成第四绝缘层；

在所述第四绝缘层中形成第一开口，以通过所述第一开口来暴露所述第一释放层；

在所述第一开口中和所述第四绝缘层上形成导电层，以在所述第一开口的底部上提供所述导电层并将所述导电层连接到所述晶体管；

分离所述第一衬底和所述第一释放层，以暴露所述导电层的后表面；

在第二衬底上形成第二释放层；

在所述第二释放层上形成包括第二开口和第二半导体元件的第二元件形成层，所述第二半导体元件包括第二半导体层和夹住所述第二半导体层的第二绝缘两层；

从所述第二衬底分离所述第二元件形成层，所分离的第二开口是通孔；

在所述第四绝缘层和所述导电层上布置所述第二元件形成层，使得所述第一开口和所分离的第二开口彼此重叠；以及

通过在所述第一开口和所述第二开口中以及在所述导电层上滴落导电材料来形成布线，所述布线电连接所述晶体管和所述第二元件形成层。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中所述第一衬底选自包括具有其表面上形成的绝缘膜的金属板和硅片、蓝宝石衬底、塑料衬底、石英衬底、玻璃衬底的组。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中所述第二衬底选自包括具有其表面上形成的绝缘膜的金属板和硅片、蓝宝石衬底、塑料衬底、石英衬底、玻璃衬底的组。

4.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中所述第一释放层包括含有金属的层和含有所述金属的氧化物的层。

5.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中所述第二释放层包括含有金属的层和含有所述金属的氧化物的层。

6.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中所述第二半导体元件选自包括晶体管、二极管、电容器和双极晶体管的组。

7.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中所述第四绝缘层包括选自包括硅的氧化物、硅的氮化物、聚酰亚胺、丙烯酸、硅氧烷、恶唑树脂的组的材料。

8.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中所述第一开口的侧表面在相对于所述第一衬底的10°到60°的角度来形成。

9.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中所述第二开口的侧表面在相对于所述第二衬底的10°到60°的角度来形成。

10.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中所述第五绝缘层在所述第二元件形成层和所述第四绝缘层之间以及在所述所述第二元件形成层和所述导电层之间形成。

11.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中所述第五绝缘层是用于接合所述第二元件形成层和所述第四绝缘层以及用于接合所述第二元件形成层和所述导电层的粘合层。