[发明专利]用于高温的电子器件

权利要求书

1. 一种电子器件，包括:

－衬底（1），

－设置在衬底（1）上的印制导线结构（2），以及

－通过印制导线结构（2）接触的功能层（3），

其特征在于，所述印制导线结构（2）由金属混合物构造，该金属混合物包括：

－铂，和

－选自铑、铱、钌、钯、锇、金、钪、钇、镧、镧系元素、钛、锆、铪、铌、钽、铬、钨、铼、铁、钴、镍、铜、硼、铝、镓、铟、硅和锗中的一种或者多种金属。

2. 根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述金属混合物包括铂和

－选自钛、锆、铪、铬、铼和铝中的一种或者多种金属，和/或

－选自铑、铱和钌中的一种或者多种金属。

3. 根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于，所述金属混合物包括：

－从大于等于60原子百分比到小于等于99原子百分比的铂，以及

－从大于等于1原子百分比到小于等于40原子百分比的、选自铑、铱、钌、钯、锇、金、钪、钇、镧、镧系元素、钛、锆、铪、铌、钽、铬、钨、铼、铁、钴、镍、铜、硼、铝、镓、铟、硅和锗中的一种或者多种金属，

其中铂、铑、铱、钌、钯、锇、金、钪、钇、镧、镧系元素、钛、锆、铪、铌、钽、铬、钨、铼、铁、钴、镍、铜、硼、铝、镓、铟、硅和锗的原子总和总共得到100原子百分比。

4. 根据权利要求1至3之一所述的电子器件，其特征在于，所述金属混合物包括：

－从大于等于60原子百分比到小于等于99原子百分比的铂，以及

－从大于等于1原子百分比到小于等于40原子百分比的铑，

其中铂和铑的原子总和总共得到100原子百分比。

5. 根据权利要求1至4之一所述的电子器件，其特征在于，所述金属混合物：

－是金属合金，和/或

－包括铂芯，其分别至少部分地、 尤其是基本上完全地被选自铑、铱、钌、钯、锇、金、钪、钇、镧、镧系元素、钛、锆、铪、铌、钽、铬、钨、铼、铁、钴、镍、铜、硼、铝、镓、铟、硅和锗中的一种或者多种金属构成的金属层、尤其是具有铑的金属层包围。

6. 根据权利要求1至5之一所述的电子器件，其特征在于，所述功能层（3）部分地覆盖印制导线结构（2）并且部分地覆盖衬底（1）。

7. 根据权利要求1至6之一所述的电子器件，其特征在于，印制导线结构（2）具有小于功能层（3）的厚度（d_F）的厚度（d_L）。

8. 根据权利要求1至7之一所述的电子器件，其特征在于，

－印制导线结构（2）能够具有大于等于0.5nm到小于等于100nm的厚度（d_L），和/或

－功能层（3）具有大于等于1nm到小于等于200nm的厚度（d_F）。

9. 根据权利要求1至8之一所述的电子器件，其特征在于，印制导线结构（2）的厚度（d_L）小于功能层的厚度（d_F）的50%。

10. 根据权利要求1至9之一所述的电子器件，其特征在于，电子器件是化学敏感的半导体器件，例如化学敏感的场效应晶体管传感器。

11. 根据权利要求10所述的电子器件，其特征在于，功能层（3）是场效应晶体管的栅极电极的组成部分或者栅极电极。

12. 一种将金属混合物用作用于化学敏感的半导体器件的印制导线材料的应用，其中该金属混合物包括铂和选自铑、铱、钌、钯、锇、金、钪、钇、镧、镧系元素、钛、锆、铪、铌、钽、铬、钨、铼、铁、钴、镍、铜、硼、铝、镓、铟、硅和锗中的一种或者多种金属。