[发明专利]用于高温的电子器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于高温的电子器件，尤其是一种化学敏感的半导体器件。

背景技术

电子器件可以具有衬底、设置在衬底上的印制导线结构以及通过印制导线结构接触的功能层，其中印制导线结构为了接触功能层可以部分地被功能层覆盖。

例如，这种电子器件可以是化学敏感的、例如气体敏感的场效应晶体管。功能层在此可以是场效应晶体管的栅极电极。印制导线结构在此通常由纯铂构成。

然而，在将化学敏感的场效应晶体管用于检测内燃机、例如机动车的内燃机的废气中的气体组分时，化学敏感的场效应晶体管遭受化学上侵蚀性的、尤其是氧化性的气氛和超过500℃的温度。

在这些条件下，纯铂会退化，尤其是消失，并且印制导线结构会断。因此，铂构成的印制导线结构通常具有比功能层明显更大的厚度。然而这会导致功能层在印制导线结构的垂直面上断开。

发明内容

本发明的主题是一种电子器件，尤其是一种半导体器件，其包括衬底、设置在衬底上的印制导线结构以及通过印制导线结构接触的功能层。根据本发明，印制导线结构在此由金属混合物构造，该金属混合物包括铂以及选自铑、铱、钌、钯、锇、金、钪、钇、镧、镧系元素、钛、锆、铪、铌、钽、铬、钨、铼、铁、钴、镍、铜、硼、铝、镓、铟、硅和锗构成的组中的一种或者多种金属。

由这种金属混合物构造印制导线结构具有的优点是，可以改进印制导线结构在高温下在例如400℃至1000℃、例如500℃至800℃下对于化学侵蚀性的、尤其是氧化性的气氛的耐抗性。由此，可以比传统的由纯铂构成的印制导线结构更薄地构造印制导线结构。特别地，通过这种方式，印制导线结构可以比功能层更薄地构造。由此，又可以避免部分覆盖印制导线的功能层的断开。

在本发明的范围中，半金属例如硼、硅、锗属于金属。

在本发明的意义中，“镧系元素”尤其是理解为以下元素：铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱和镥。

优选的是，铂是金属混合物的主要组成部分。在此，“金属混合物的主要组成部分”尤其是可以理解为金属混合物的如下金属：该金属具有金属混合物的金属的最高摩尔百分比部分。

金属混合物尤其是可以由铂和选自铑、铱、钌、钯、锇、金或钪、钇、镧、镧系元素、钛、锆、铪、铌、钽、铬、钨、铼、铁、钴、镍、铜、硼、铝、镓、铟、硅和锗中的一种或者多种金属构成。

金属混合物例如可以包括铂和选自铑、铱、钌、钯、锇和金中的一种或多种金属，或者由其构成。

对此可替选地，金属混合物可以包括铂和选自钪、钇、镧、镧系元素、钛、锆、铪、铌、钽、铬、钨、铼、铁、钴、镍、铜、硼、铝、镓、铟、硅和锗中的一种或者多种金属，或者由其构成。

在一个实施形式的范围中，金属混合物包括铂和选自钛、锆、铪、铬、铼和铝中的一种或者多种金属，和/或选自铑、铱和钌中的一种或者多种金属。

优选的是，金属混合物包括铂和铑，或者由其构成。

在另一实施形式的范围中，金属混合物包括：

－从大于等于60原子百分比到小于等于99原子百分比、尤其是从大于等于75原子百分比到小于等于90原子百分比的铂，以及

－从大于等于1原子百分比到小于等于40原子百分比、尤其是从大于等于10原子百分比到小于等于25原子百分比的、选自铑、铱、钌、钯、锇、金、钪、钇、镧、镧系元素、钛、锆、铪、铌、钽、铬、钨、铼、铁、钴、镍、铜、硼、铝、镓、铟、硅和锗中的一种或者多种金属，

其中铂、铑、铱、钌、钯、锇、金、钪、钇、镧、镧系元素、钛、锆、铪、铌、钽、铬、钨、铼、铁、钴、镍、铜、硼、铝、镓、铟、硅和锗的原子总和总共得到100原子百分比。

特别地，金属混合物可以包括：

－从大于等于60原子百分比到小于等于99原子百分比、尤其是从大于等于75原子百分比到小于等于90原子百分比的铂，以及

－从大于等于1原子百分比到小于等于40原子百分比、尤其是从大于等于10原子百分比到小于等于25原子百分比的、选自铑、铱、钌、钛、锆、铪、铬、铼和铝中的一种或者多种金属，

其中铂、铑、铱、钌、钛、锆、铪、铬、铼和铝的原子总和总共得到100原子百分比。

例如，金属混合物可以包括：

－从大于等于60原子百分比到小于等于99原子百分比、尤其是从大于等于75原子百分比到小于等于90原子百分比的铂，以及