[发明专利]光电元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电半导体元件，包括：

基板；

第一窗口层，形成于该基板，具有第一片电阻值、第一厚度及第一杂质浓度；

第二窗口层，具有第二片电阻值、第二厚度及第二杂质浓度；

半导体系统，形成于该第一窗口层及该第二窗口层之间；

其中该第二窗口层和该半导体系统包括不同的半导体材料；该第二片电阻值低于该第一片电阻值；该第二厚度大于该第一厚度。

2.如权利要求1所述的光电半导体元件，其中该半导体系统包括：具有第一导电型态的第一半导体层、具有第二导电型态的第二半导体层和形成于该第一半导体层和第二半导体层之间的转换单元，其中该第二窗口层和该半导体系统具有一个宽度差，该第二窗口层的宽度小于该半导体系统的宽度，该宽度差大于1微米。

3.如权利要求1所述的光电半导体元件，其中该第二窗口层的上表面及侧壁具有不平整的结构。

4.如权利要求1所述的光电半导体元件，还进一步包括形成于基板和第一窗口层之间的透明导电层。

5.如权利要求4所述的光电半导体元件，还进一步包括形成于该基板和该透明导电层之间的金属反射层。

6.一种光电半导体元件，包括：

基板；

金属层，包括金属元素，形成于该基板上；

第一窗口层，包括该金属元素；

透明导电层，形成于该金属层和该第一窗口层之间，其中于该第一窗口层的该金属元素的浓度小于1*10¹⁹cm^-3，大于1*10¹⁶cm^-3。

7.如权利要求6所述的光电半导体元件，还进一步包括形成于该第一窗口层上的半导体系统；

该半导体系统由第一导电型态的第一半导体层、第二导电型态的第二半导体层及形成于该第一半导体层和该第二半导体层之间的转换单元所构成。

8.如权利要求6所述的光电半导体元件，其中该金属元素包括银。

9.如权利要求6所述的光电半导体元件，其中该金属层反射率超过90％。

10.如权利要求6所述的光电半导体元件，还进一步包括形成于该半导体系统上的第二窗口层，该第二窗口层具有不平整的结构，该第一窗口层和该半导体系统具有一个宽度差，该第一窗口层的宽度小于该半导体系统的宽度，该宽度差大于1微米。

11.一种光电半导体元件，包括：

基板；

n型窗口层，形成于该基板上；

半导体系统，形成于该n型窗口层上；

p型窗口层，形成于该半导体系统上；

其中，该光电半导体元件可发出琥珀色光和红光，并在驱动电流密度介于0.1～0.32mA/mil²，具有70流明/瓦的发光效率。

12.一种制造光电半导体元件的方法，包括以下步骤：

提供基板；

形成半导体系统于该基板上；

形成窗口层在该半导体系统上；其中该窗口层和该半导体层包括不同的半导体材料；

移除部分的该窗口层，由此使该窗口层和该半导体层具有宽度差，该宽度差大于1微米。