[发明专利]MOS器件制备方法有效
| 申请号： | 201110035584.2 | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102637600A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 唐树澍 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 器件 制备 方法 | ||
1.一种MOS器件制备方法，其特征在于，采用同一掩膜版实现源/漏区域的离子注入和LDD离子注入，其中，所述源/漏区域的离子注入先于所述LDD离子注入完成，所述源/漏区域的离子注入同时以多晶硅栅侧墙作为掩膜。
2.根据权利要求1所述的MOS器件制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)提供一半导体衬底，以STI定义有源器件区域并进行阱区离子注入；
(2)制备形成多晶硅栅及第一侧墙；
(3)旋涂光刻胶，并图形化暴露出需进行离子注入的区域；
(4)进行所述源/漏区域的离子注入；
(5)去除所述第一侧墙，并进行所述LDD离子注入；
(6)去除所述光刻胶，制备形成多晶硅栅第二侧墙。
3.根据权利要求2所述的MOS器件制备方法，其特征在于，所述步骤(2)具体包括以下步骤：
(201)依次沉积栅氧化层、多晶硅层，并刻蚀形成多晶硅栅；
(202)快速热氧化形成第一氧化层；
(203)依次沉积第二氧化层、阻挡层；
(204)形成多晶硅栅第一侧墙。
4.根据权利要求3所述的MOS器件制备方法，其特征在于，所述阻挡层为二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、含碳硅氧化物中的一种或任意几种的复合结构。
5.根据权利要求4所述的MOS器件制备方法，其特征在于，所述阻挡层刻蚀速率远小于所述多晶硅栅第一侧墙的刻蚀速率。
6.根据权利要求3所述的MOS器件制备方法，其特征在于，所述第二氧化层厚度为所述阻挡层厚度为
7.根据权利要求1～6所述的MOS器件制备方法，其特征在于，所述阱区离子注入为第一半导体类型的离子注入；所述源/漏区域的离子注入为第二半导体类型的高浓度离子注入；所述LDD离子注入为第二半导体类型的轻掺杂离子注入。
8.根据权利要求7所述的MOS器件制备方法，其特征在于，所述第一半导体类型为N型，所述第二半导体类型为P型。
9.根据权利要求7所述的MOS器件制备方法，其特征在于，所述第一半导体类型为P型，所述第二半导体类型为N型。
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