[发明专利]集成电路元件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路元件的制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板；

形成一栅极结构在该基板上；

形成一磊晶层在该基板的一源极与漏极区，且该源极与漏极区有该栅极结构插入其中：和

待形成该磊晶层后，形成一轻度掺杂的源极与漏极特征在该源极与漏极区中。

2.根据权利要求1所述的集成电路元件的制造方法，其特征在于，还包含在形成该轻度掺杂的源极与漏极特征前，先形成一重度掺杂的源极与漏极特征在该源极与漏极区中。

3.根据权利要求2所述的集成电路元件的制造方法，其特征在于，该形成重度掺杂的源极与漏极特征的步骤包含：

在与该栅极结构相邻处形成一个以上的假分隔物；

在该些源极与漏极区中与该些假分隔物相邻处形成一个以上的重度掺杂的源极与漏极特征；和

移除该些假分隔物。

4.根据权利要求1所述的集成电路元件的制造方法，其特征在于，该形成轻度掺杂的源极与漏极特征在源极与漏极区中的步骤包括执行一斜角离子布植处理。

5.一种集成电路元件的制造方法，其特征在于，包含：

形成一第一栅极结构和一第二栅极结构在一基板上；

形成一第一材料的一磊晶层在该基板的一源极与漏极区，且该源极与漏极区有该第一栅极结构插入其中；

形成一第二材料的一磊晶层在该基板的另一源极与漏极区，且该另一源极与漏极区有该第二栅极结构插入其中；和

待形成该些磊晶层后，形成一个以上的轻度掺杂的源极与漏极特征在该些源极与漏极区中。

6.根据权利要求5所述的集成电路元件的制造方法，其特征在于，还包含形成一个以上的重度掺杂的源极与漏极特征在该些源极与漏极区中。

7.根据权利要求5所述的集成电路元件的制造方法，其特征在于，该形成第一材料的磊晶层的步骤包括磊晶生长一硅层，且该形成第二材料的磊晶层的步骤包括磊晶生长一硅锗层。

8.根据权利要求5所述的集成电路元件的制造方法，其特征在于，在该源极与漏极区中形成该些轻度掺杂的源极与漏极特征的步骤包括执行一斜角离子布植处理。

9.根据权利要求5所述的集成电路元件的制造方法，其特征在于，该形成轻度掺杂的源极与漏极特征在有第一栅极结构插入其中的源极与漏极区的步骤包括以一第一布植物种来执行一布植处理，且该形成轻度掺杂的源极与漏极特征在有第二栅极结构插入其中的源极与漏极区的步骤包括以一第二布植物种来执行一布植处理，且该第二布植物种与该第一布植物种不同。

10.根据权利要求5所述的集成电路元件的制造方法，其特征在于，还包含执行一栅极置换处理，其包括：

以一具有一第一功函数的一栅极层来取代该第一栅极结构；和

以一具有一第二功函数的一栅极层来取代该第二栅极结构。

11.一种集成电路元件，其特征在于，包含：

一基板；

一栅极堆叠，位在该基板上，且该栅极结构插设在该基板的一源极与漏极区中；

一个以上的间隔物，设在该栅极堆叠的侧壁上；

一磊晶层，位在该基板的该源极与漏极区中，该磊晶层是与该些间隔物的一边缘对齐；

一轻度掺杂的源极与漏极特征，设在该基板的源极与漏极区中，且该轻度掺杂的源极与漏极特征是与该些间隔物相邻；和

一重度掺杂的源极与漏极特征，设在该基板的源极与漏极区中，且该重度掺杂的源极与漏极特征是远离该些间隔物的该边缘。

12.根据权利要求11所述的集成电路元件，其特征在于，该轻度掺杂的源极与漏极特征在该些间隔物下方延伸。