[发明专利]半导体存储装置、存储系统及其编程方法有效
申请号: | 201110036156.1 | 申请日: | 2011-02-11 |
公开(公告)号: | CN102467970A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 具岐峰 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;张文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 存储系统 及其 编程 方法 | ||
1.一种半导体存储装置,包括:
核心块,所述核心块被配置为接收并储存外部输入数据;
控制单元,所述控制单元被配置为当所述外部输入数据具有预定值时响应于测试模式信号和内部命令来激活控制信号;以及
熔丝电路,所述熔丝电路被配置为当所述控制信号被激活时执行熔丝编程。
2.如权利要求1所述的半导体存储装置,还包括:
数据输入单元,所述数据输入单元被配置为处理所述外部输入数据从而将所述外部输入数据储存到所述核心块中;以及
全局线,所述全局线被配置为将所述数据输入单元输出的数据传送至所述核心块和所述控制单元。
3.如权利要求2所述的半导体存储装置,其中所述数据输入单元包括:
锁存部,所述锁存部被配置为响应于数据选通信号来储存数据;以及
串行化部,所述串行化部被配置为响应于时钟信号而将储存在所述锁存部中的数据转化为串行数据,并将所述串行数据输出至全局线。
4.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中所述核心块被配置为当所述测试模式信号被激活时停止数据储存操作。
5.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中所述控制单元被配置为:识别在所述测试模式信号被激活的状态下输入的命令而作为熔丝编程命令,而不考虑所述命令的类型。
6.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中所述熔丝电路包括多个反熔丝。
7.一种存储系统,包括:
存储模块,所述存储模块包括多个半导体存储装置,并且被配置为根据外部输入数据来执行关于所述多个半导体存储装置的选择性熔丝编程操作;以及
存储控制器,所述存储控制器被配置为将用于所述熔丝编程操作的命令提供给所述存储模块,并选择性地将具有预定值的数据提供给所述多个半导体存储装置。
8.如权利要求7所述的存储系统,其中所述存储控制器被配置为将所述具有预定值的数据提供给所述多个半导体存储装置之中待执行所述熔丝编程操作的半导体存储装置,并且将具有与所述预定值不同的值的数据提供给其余的半导体存储装置。
9.如权利要求7所述的存储系统,其中所述存储控制器被配置为在所述存储模块被允许进入测试模式的状态下将数据提供给所述多个半导体存储装置。
10.如权利要求7所述的存储系统,其中所述存储模块包括多个半导体存储装置;并且其中每个半导体存储装置包括:
核心块,所述核心块被配置为接收并储存所述外部输入数据;
控制单元,所述控制单元被配置为当所述外部输入数据具有预定值时响应于测试模式信号和所述命令来激活控制信号;以及
熔丝电路,所述熔丝电路被配置为当所述控制信号被激活时执行熔丝编程。
11.如权利要求10所述的存储系统,其中所述核心块被配置为当所述测试模式信号被激活时停止数据储存操作。
12.如权利要求10所述的存储系统,其中所述控制单元被配置为识别在所述测试模式信号被激活的状态下输入的命令作为熔丝编程命令,而不考虑所述命令的类型。
13.如权利要求10所述的存储系统,其中所述熔丝电路包括多个反熔丝。
14.一种对包括存储控制器以及具有多个半导体存储装置的存储模块的存储系统进行编程的方法,包括如下步骤:
测试在所述多个半导体存储装置中是否发生故障;并且
根据对是否发生故障进行测试所获得的结果而通过所述存储控制器来选择性地对所述多个半导体存储装置进行编程。
15.如权利要求14所述的编程方法,其中所述选择性地对所述多个半导体存储装置进行编程的步骤包括:
通过所述存储控制器而选择性地将具有预定值的数据提供给所述多个半导体存储装置;
在提供所述数据之后,通过所述存储控制器将命令提供给所述多个半导体存储装置;以及
响应于所述命令而通过所述多个半导体存储装置之中的已经接收到具有所述预定值的数据的半导体存储装置来执行编程操作。
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