[发明专利]晶圆加工用胶带

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶圆用的晶圆加工用胶带。

背景技术

开发出了这样的晶圆加工用胶带：该晶圆加工用胶带兼具在将半导体晶圆切割成一片片芯片时用于固定半导体晶圆的切割带和用于将切割后的芯片接合到基板等的晶片接合膜这两者的功能。晶圆加工用胶带具有：剥离膜、作为切割带发挥作用的粘接带、作为晶片接合膜发挥作用的接合剂层。

近年来，要求用于便携设备的存储器等电子设备进一步薄型化和高容量化。因此，对于将厚度50μm以下的半导体芯片多级层叠的安装技术的要求日益增高。为了应对这样的要求，开发且公开了如下所述的晶圆加工用胶带：该晶圆加工用胶带能实现薄膜化且具有如下所述的接合剂层，该接合剂层具有可嵌入半导体芯片的电路表面的凹凸这样的柔软性(例如参照专利文献1和2)。

如果不能嵌入电路表面的凹凸，则在半导体芯片与接合剂层之间产生空隙，从而接合强度显著降低。通常，将厚度50μm以下的半导体芯片多级层叠的工艺所要求的接合剂层的厚度为25μm以下，考虑到充分地嵌入半导体芯片的电路表面的凹凸，优选这样的接合剂层在60℃的热固化前的储能模量小于2×10⁶Pa。

在粘接带上层叠了半导体芯片用的接合剂层的晶圆加工用胶带、即所谓的切割/晶片接合片，可在将半导体晶圆分割为芯片的工序和将分割后的半导体芯片接合到基板等的工序这两者中使用，对于改善半导体安装工序的操作性非常有用。尤其是，如下所述的切割/晶片接合片在操作性方面显著优越：其接合剂层与半导体晶圆相对应地被预切割成圆形的标签形状，粘接带与环框(其为了提高半导体晶圆加工时的易操作性而被安装在粘接带上)相对应地被预切割成比接合剂层大的圆形的标签形状。如图9所示，这样的切割/晶片接合片在长条的剥离膜201上以规定的间隔设置有多个接合剂层202，粘接带203被层叠构成，使得以同心圆状覆盖各接合剂层202，并且外缘部与剥离膜201接触(例如，参照专利文献3和4)。

【专利文献1】日本特开2000-154356号公报

【专利文献2】日本特开2003-60127号公报

【专利文献3】日本特开2007-2173号公报

【专利文献4】日本特开2007-288170号公报

近年来，为了将因薄膜化而变脆的半导体芯片连同接合剂层一起进行拾取而不使其破损，要求切割/晶片接合片的粘接带具有更低的粘接力。

但是，在将薄且柔软性高的接合剂层层叠在粘接力低的粘接带上而形成切割/晶片接合片(晶圆加工用胶带)的情况下，有时会发生下述粘合不良的问题：在将这样的切割/晶片接合片从剥离膜剥离而粘贴到半导体晶圆的时候，接合剂层被剥离膜拉扯而从粘接带卷起，从而不能与半导体晶圆粘合。

这种粘合不良大多从下述位置开始产生，即：将粘接带和接合剂层的层叠体粘贴到半导体晶圆时的、在最接近粘合开始点的接合剂层的外周部，即一般在标签的圆周部中首先接近半导体晶圆的一端(参照图10)。

关于这种粘合不良的原因是由于在接合剂层的冲切加工时，为了将刀具按压在剥离膜上而切割涂成剥离膜状的接合剂层，接合剂层在外缘部与剥离膜粘连，在粘贴时，接合膜的末端在粘连部分被剥离膜拉扯，由此产生与粘接带剥离的起点。而且，还可以列举由于如下两种情况，使得一旦在接合剂层与粘接带之间产生剥离的起点时，该剥离很容易扩大，所述两种情况为：为了降低该粘接带的粘接力而使剥离膜-接合剂层之间的剥离力与接合剂层-粘接带之间的剥离力的差减小、以及由于接合剂层薄且柔软而容易追随剥离膜。

发明内容

因此，本发明的主要目的在于提供一种晶圆加工用胶带，在将剥离膜从晶圆加工用胶带剥离时，该晶圆加工用胶带能够抑制接合剂层从粘接带剥离。

为了解决上述课题，根据本发明，提供一种晶圆加工用胶带，其具有：

剥离膜；

设置在所述剥离膜上的接合剂层；

粘接带，其被设置成：从上方覆盖所述接合剂层，外缘在所述接合剂层的外侧与所述剥离膜接触，

该晶圆加工用胶带的特征在于，

所述剥离膜沿长度方向被卷绕成卷筒状，

在平面视中，所述接合剂层具有主要部、和与所述主要部连接的至少一个突出部，

所述突出部中的至少一个的突出长度为4mm以上，

所述突出部的末端角度为80°以上且不足120°，

所述突出部的末端的曲率半径不足4mm，

所述突出部的末端与所述粘接带的外缘之间的距离为5mm以上，