[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和

所述发光结构上的钝化层，

其中所述钝化层包括：

第一钝化层，在所述发光结构的顶表面上；和

第二钝化层，所述第二钝化层具有不同于所述第一钝化层的折射率，所述第二钝化层被布置在所述发光结构的侧表面上，

其中所述第二钝化层具有大于所述第一钝化层的折射率的折射率。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二钝化层还被布置在位于所述发光结构的顶表面上的所述第一钝化层上。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一钝化层具有小于所述发光结构的折射率的折射率。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二钝化层满足抗反射涂层条件。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二钝化层具有(λ/4n)×(2m+1)的厚度，这里，λ是从所述有源层发射的光的波长，n是所述发光结构的折射率，并且m是零或者正整数。

6.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和

所述发光结构上的钝化层，

其中所述钝化层包括：

第一钝化层，在所述发光结构的顶表面上；和

第二钝化层，所述第二钝化层具有不同于所述第一钝化层的折射率的折射率，所述第二钝化层被布置在所述发光结构的侧表面上，

其中光提取结构在所述发光结构上。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第二钝化层具有大于所述第一钝化层的折射率的折射率。

8.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第二钝化层还被布置在位于所述发光结构的顶表面上的所述第一钝化层上。

9.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一钝化层具有小于所述发光结构的折射率的折射率。

10.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第二钝化层满足抗反射涂层条件。

11.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第二钝化层具有(λ/4n)×(2m+1)的厚度，这里，λ是从所述有源层发射的光的波长，n是所述发光结构的折射率，并且m是零或者正整数。

12.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个包括在其表面上的光提取结构。

13.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个包括在其表面上的光提取结构，并且所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个沿着所述发光结构上的光提取结构的形状布置。

14.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和

所述发光结构上的钝化层，

其中所述钝化层包括：

第一钝化层，在所述发光结构的顶表面上；和

第二钝化层，所述第二钝化层具有不同于所述第一钝化层的折射率的折射率，所述第二钝化层被布置在所述发光结构的侧表面上，

其中所述发光结构包括倾斜侧表面。

15.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第二钝化层具有(λ/4n)×(2m+1)/cos(x)的厚度，这里，m是零或者正整数，x是零与θ之间的角度，并且θ是发光结构的侧表面的倾斜角度。

16.根据权利要求14所述的发光器件，进一步包括所述发光结构上的光提取结构。

17.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第二钝化层具有大于所述第一钝化层的折射率的折射率。

18.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述第二钝化层还被布置在位于所述发光结构的顶表面上的所述第一钝化层上。