[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件、发光器件封装、以及照明系统。

背景技术

在发光器件中，通过组合周期表上的III和V族元素可以形成具有将电能转换为光能的性质的P-N结二极管。发光器件可以通过控制化合物半导体的组成比率实现各种颜色。

由于它们高的热稳定性和宽的带隙能使得对于光学器件和高功率电子设备的领域来说氮化物半导体引起很多注意。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、以及UV发光器件已经被商业化并且被广泛地使用。

根据现有技术，钝化层被布置在发光器件的侧表面上。当具有相同折射率的单层钝化层被布置在发光器件的侧表面和顶表面上时，很难获得最佳光量。这是因为满足抗反射涂层条件的反射率层被布置在侧表面上并且根据光提取图案的周期改变顶表面上的最佳的反射率层。

因为光提取图案的衍射效率取决于界面的折射率，所以填充图案的钝化层的折射率会成为重要的参数。

发明内容

实施例提供能够获得最佳光量的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。

在一个实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和钝化层，该钝化层保护发光结构的表面，其中该钝化层包括：发光结构的顶表面上的第一钝化层；和第二钝化层，该第二钝化层具有不同于第一钝化层的折射率的折射率，该第二钝化层被布置在发光结构的侧表面上，其中第二钝化层具有大于第一钝化层的折射率的折射率。

在另一实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和钝化层，该钝化层保护发光结构的表面，其中该钝化层包括：发光结构的顶表面上的第一钝化层；和第二钝化层，该第二钝化层具有不同于第一钝化层的折射率的折射率，该第二钝化层被布置在发光结构的侧表面上，其中第二钝化层可以满足抗反射涂层条件。

在又一实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和钝化层，该钝化层保护发光结构的表面，其中该钝化层包括：发光结构的顶表面上的第一钝化层；和第二钝化层，该第二钝化层具有不同于第一钝化层的折射率的折射率，该第二钝化层被布置在发光结构的侧表面上，其中该第二钝化层具有(λ/4n)×(2m+1)的厚度(这里，λ是从有源层发射的光的波长，n是发光结构的折射率，并且m是零或者正整数)。

在又一实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和钝化层，该钝化层保护发光结构的表面，其中该钝化层包括：发光结构的顶表面上的第一钝化层；和第二钝化层，该第二钝化层具有不同于第一钝化层的折射率的折射率，该第二钝化层被布置在发光结构的侧表面上，其中光提取结构被布置在发光结构上。

在又一实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和钝化层，该钝化层保护发光结构的表面，其中该钝化层包括：发光结构的顶表面上的第一钝化层；和第二钝化层，该第二钝化层具有不同于第一钝化层的折射率的折射率，该第二钝化层被布置在发光结构的侧表面上，其中所述第一钝化层和所述第二钝化层中的至少一个可以包括在其表面上的光提取结构。

在又一实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和钝化层，该钝化层保护发光结构的表面，其中该钝化层包括：发光结构的顶表面上的第一钝化层；和第二钝化层，该第二钝化层具有不同于第一钝化层的折射率的折射率，该第二钝化层被布置在发光结构的侧表面上，其中该光提取结构具有倾斜的侧表面。

在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的详情。从描述和附图，以及从权利要求中，其它的特征将变得显而易见。

附图说明

图1是根据第一实施例的发光器件的截面图。

图2至图5是示出根据第一实施例的发光器件的制造工艺的截面图。

图6是根据第二实施例的发光器件的截面图。

图7是根据第三实施例的发光器件的截面图。

图8是根据第四实施例的发光器件的截面图。