[发明专利]基板处理方法有效

专利信息
申请号: 201110036950.6 申请日: 2011-02-12
公开(公告)号: CN102169826A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 丹羽崇文;中村泰之;京田秀治 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/66;H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20;G03F7/38
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种基板处理方法,其用于对基板进行处理,其具有以下工序:

第一处理工序,通过对形成有第一抗蚀剂膜的上述基板进行曝光,对曝光后的上述基板进行加热处理,对加热处理后的上述基板进行显影处理来形成第一抗蚀图案;以及

第二处理工序,在形成有上述第一抗蚀图案的上述基板上形成第二抗蚀剂膜,对形成有上述第二抗蚀剂膜的上述基板进行曝光,对曝光后的上述基板进行加热处理,对加热处理后的上述基板进行显影处理,由此形成第二抗蚀图案,

在对一个基板进行上述第二处理工序之后,

对形成于上述一个基板上的上述第二抗蚀图案的线宽进行测量,根据所测量的上述第二抗蚀图案的线宽的测量值来校正上述第一处理工序的第一处理条件,在校正后的上述第一处理条件下对其它基板进行上述第一处理工序,

对形成于上述一个基板上的上述第一抗蚀图案的线宽进行测量,根据所测量的上述第一抗蚀图案的线宽的测量值来校正上述第二处理工序的第二处理条件,在校正后的上述第二处理条件下对上述其它基板进行上述第二处理工序。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,

在上述第一处理工序中,在第一温度条件下对曝光后的上述基板进行加热处理,

在上述第二处理工序中,在第二温度条件下对曝光后的上述基板进行加热处理,

在对上述一个基板进行上述第二处理工序之后,

根据上述第二抗蚀图案的线宽的测量值,校正上述第一温度,在校正后的上述第一温度条件下对上述其它基板进行加热处理,

根据上述第一抗蚀图案的线宽的测量值,校正上述第二温度,在校正后的上述第二温度条件下对上述其它基板进行加热处理。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,

具有以下工序:

第一数据准备工序,准备第一数据,该第一数据表示上述第一温度与上述第二抗蚀图案的线宽之间的关系;以及

第二数据准备工序,准备第二数据,该第二数据表示上述第二温度与上述第一抗蚀图案的线宽之间的关系,

在对上述一个基板进行上述第二处理工序之后,

根据上述第一数据和上述第二抗蚀图案的线宽的测量值,校正上述第一温度,

根据上述第二数据和上述第一抗蚀图案的线宽的测量值,校正上述第二温度。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其特征在于,

在上述第一数据准备工序中,对于由多个基板构成的第一基板组的各基板,按每个上述基板来改变上述第一温度而进行上述第一处理工序,在对进行了上述第一处理工序的上述各基板进行上述第二处理工序之后,对形成于上述各基板上的上述第二抗蚀图案的线宽进行测量,由此准备上述第一数据,

在上述第二数据准备工序中,对于由多个基板构成的第二基板组的各基板,进行上述第一处理工序,在对进行了上述第一处理工序的上述各基板按每个上述基板来改变上述第二温度而进行上述第二处理工序之后,对形成于上述各基板上的上述第一抗蚀图案的线宽进行测量,由此准备上述第二数据。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,

在上述第一处理工序中,以第一曝光量对上述基板进行曝光,

在上述第二处理工序中,以第二曝光量对上述基板进行曝光,

在对上述一个基板进行上述第二处理工序之后,

根据上述第二抗蚀图案的线宽的测量值,校正上述第一曝光量,以校正后的上述第一曝光量对上述其它基板进行曝光,

根据上述第一抗蚀图案的线宽的测量值,校正上述第二曝光量,以校正后的上述第二曝光量对上述其它基板进行曝光。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法,其特征在于,

具有以下工序:

第一数据准备工序,准备第一数据,该第一数据表示上述第一曝光量与上述第二抗蚀图案的线宽之间的关系;以及

第二数据准备工序,准备第二数据,该第二数据表示上述第二曝光量与上述第一抗蚀图案的线宽之间的关系,

在对上述一个基板进行上述第二处理工序之后,

根据上述第一数据和上述第二抗蚀图案的线宽的测量值,校正上述第一曝光量,

根据上述第二数据和上述第一抗蚀图案的线宽的测量值,校正上述第二曝光量。

7.根据权利要求6所述的基板处理方法,其特征在于,

在上述第一数据准备工序中,对于由多个基板构成的第一基板组的各基板,按每个上述基板来改变上述第一曝光量而进行上述第一处理工序,在对进行了上述第一处理工序的上述各基板进行上述第二处理工序之后,对形成于上述各基板上的上述第二抗蚀图案的线宽进行测量,由此准备上述第一数据,

在上述第二数据准备工序中,对于由多个基板构成的第二基板组的各基板,进行上述第一处理工序,在对进行了上述第一处理工序的上述各基板按每个上述基板来改变上述第二曝光量而进行上述第二处理工序之后,对形成于上述各基板上的上述第一抗蚀图案的线宽进行测量,由此准备上述第二数据。

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