[发明专利]一种应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构法有效
| 申请号： | 201110037055.6 | 申请日： | 2011-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102169881A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘志伟 | 申请（专利权）人： | 武汉芯安微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/87;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 | 代理人： | 魏殿绅;庞炳良 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 高压 工艺 集成电路 电源 结构 | ||
1.一种应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构，包括单体MLSCR器件，所述单体MLSCR器件包括P阱和N阱，其特征在于；所述P阱和N阱之间有一桥状P+注入区，所述桥状P+注入区的尺寸调节范围在2.5um～10.0um之间。
2.如权利要求1所述的应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构，其特征在于：所述单体MLSCR器件包括P型衬底，P型衬底上为N外延或N-Tub层，N外延或N-Tub层上为阱区，阱区包括N阱和P阱，N阱和P阱上均设有两个注入区，分别为N+注入区和P+注入区。
3.如权利要求2所述的应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构，其特征在于：所述N阱的N+注入区设置在远离P阱的一端，P+注入区设置在靠近P阱的一端；P阱的P+注入区设置在远离N阱的一端，N+注入区设置在靠近N阱的一端；N+注入区和P+注入区之间由FOX隔离。
4.如权利要求1所述的应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构，其特征在于：所述单体MLSCR器件包括P型衬底，P型衬底上为埋层，埋层上为阱区，阱区包括深N阱和深P阱。
5.一种应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构，包括至少两个权利要求1中所述的单体MLSCR器件形成的级联结构，其特征在于：所述每个上一级单体MLSCR器件的负极和下一级单体MLSCR器件的正极通过金属连接，且第一级单体MLSCR器件的正极为级联结构的正极，最后一级单体MLSCR器件的负极为级联结构的负极。
6.如权利要求5所述的应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构，其特征在于：所述单体MLSCR器件采用N-ring隔离，单体MLSCR器件之间采用P-ring隔离，N-ring隔离悬浮，P-ring隔离接地。
7.如权利要求5所述的应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构，其特征在于：每一所述单体MLSCR器件包括P型衬底，P型衬底上为N外延或N-Tub层，N外延或N-Tub层上为阱区，阱区包括N阱和P阱，N阱和P阱上均设有两个注入区，分别为N+注入区和P+注入区。
8.如权利要求7所述的应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构，其特征在于：每一所述N阱的N+注入区设置在远离P阱的一端，P+注入区设置在靠近P阱的一端；P阱的P+注入区设置在远离N阱的一端，N+注入区设置在靠近N阱的一端；N+注入区和P+注入区之间由FOX隔离。
9.如权利要求5所述的应用于高压工艺集成电路中电源钳位结构，其特征在于：每一所述单体MLSCR器件包括P型衬底，P型衬底上为埋层，埋层上为阱区，阱区包括深N阱和深P阱。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
