[发明专利]浸晶切割方法有效
申请号: | 201110037399.7 | 申请日: | 2011-02-14 |
公开(公告)号: | CN102172996A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 卢建伟 | 申请(专利权)人: | 上海日进机床有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04 |
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地址: | 201601 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种多线切割技术,特别是涉及一种应用在多线切割设备中以增加切割液的带砂量以提高生产效率的浸晶切割方法。
背景技术
多线切割技术是目前世界上比较先进的晶体硅加工技术,它的原理是通过一根高速运动的钢丝带动附着在钢丝上的切割刃料对半导体等硬脆材料进行摩擦而达到切割效果。多线切割技术与传统的刀锯片、砂轮片及内圆切割相比有具有效率高,产能高,精度高等优点,多线切割技术是目前采用最广泛的半导体等硬脆材料切割技术。
现有的多线切割设备例如晶体硅锭切断机等通常至少包括有:机架,设置于所述机架上用于承载晶体硅锭的工作台,用于绕丝的贮丝筒,多个导线轮以及可升降的切割辊等,在对晶体硅锭的切割过程中,作为切割线的钢丝通过十几个导线轮的引导,在多个切割辊之间上形成一张线网,而待加工的晶体硅锭被固定于所述工作台上时,将切割辊降下来,并在压力泵在的作用下,装配在设备上的切割液自动喷洒装置将切割液(切割剂)喷洒至钢丝和晶体硅锭的切削部位,由钢丝带动切割液往复运动,利用切割液中的研磨砂对工件产生切割,以将晶体硅锭一次同时切割为数段。在这一过程中,被喷洒至切割部位的切割液只占到总喷洒量的大约20%的比例,换言之,所述切割液自动喷洒装置实际喷洒的切割液大约有80%都被浪费掉了,而这部分被浪费掉的切割液不易回收,不利于降低加工成本;再者,由于高速运行的切割线在工件伤切割形成的是一条极细的切割缝隙,要保证上述切割液自动喷洒装置喷洒出的切割液充分地落入该缝隙中也非易事,所以在实际切割过程中,时有切割线上并未携带切割液进行切割的情况发生,进而不利于保证工件的切割品质。
为此,在一些多线切割设备中采用了金刚线作为切割线,由于所述金刚线为表层具有金刚砂的金刚线,选用该种金刚线在加工过程中以减少切割液使用量,但是,在实际的切割过程中发现,在所述金刚线上未与工件接触部分其上面的金刚砂并没有得到利用,因而,仍未 能解决浪费的问题。因而,仍未能彻底解决切割效率问题。
所以,如何提供一种多线切割方法,以彻底提高切割效率问题,实为相关领域之业者目前亟待解决的问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种浸晶切割方法,用以解决切割液在切割过程中被大量浪费而造成的生产成本过高,以及彻底解决游离砂切割方式的效率问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种浸晶切割方法,应用于切割晶体硅锭的多线切割设备中,所述多线切割设备至少具有用于承载待切割晶体硅锭的切割台以及运行切割线的多线切割系统,其特征在于,所述方法包括以下步骤:首先,于所述多线切割设备的切割台上围设形成一容液槽;其次,将所述待切割晶体硅锭放置于所述容液槽内;然后,向所述容液槽内注入切割液,并使所述待切割晶体硅锭浸没于所述切割液中;接着,启动所述多线切割系统,高速运行所述切割线;使所述切割线压迫所述容液槽及浸没于所述切割液中的待切割晶体硅锭,以使所述切割线切割所述容液槽之侧壁时,一并切割位于所述切割液中的待切割晶体硅锭,且在切割过程中,所述切割液从被切割的容液槽侧壁之豁口处流出,以便循环利用。
在本发明的浸晶切割方法中,所述容液槽的深度大于所述待切割晶体硅锭的高度。所述容液槽的四周侧壁为隔液板材,具体地,所述隔液板材可为单一材质的易切割板材、或者为多片纵向间隔设置的硬质板材与所述易切割板材组合而成,其中,所述易切割板材对应所述待切割晶体硅锭的待切割部位。所述易切割板材为玻璃板、有机塑料板、树脂板、石板。所述硬质板材为金属板。所述切割线为钢线或金刚线。
在本发明的浸晶切割方法中,所述待切割晶体硅锭被放置于所述容液槽内时与所述容液槽之四周侧壁预留有间隙,以确保使所述待切割晶体硅锭的各表面完全浸没于所述切割液中,并为所述切割液从被切割的容液槽侧壁之豁口流出预留空间。
如上所述,本发明的浸晶切割方法主要是将待切割晶体硅锭的浸 没于切割液中进行切割作业,如此以确保切割液的具有较高的使用率,并利于回收,同时,也完全实现了切割线、工件以及切割液之间充分接触,进而保证了工件的切割品质,与现有技术相比,本发明解决了切割液在切割过程中被充分利用从而大大提高切割效率问题,同时也彻底解决了以前带砂方式效率低下的问题。
附图说明
图1显示为本发明的浸晶切割方法步骤流程图。
图2显示为本发明的浸晶切割方法在具体实施过程中切割线、容液槽与待切割晶体硅锭之间的对应位置关系示意图。
图3A至图3F显示为应用本发明的浸晶切割方法的实施步骤状态示意图。
具体实施方式
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