[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统无效
申请号: | 201110038130.0 | 申请日: | 2011-02-11 |
公开(公告)号: | CN102163676A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 金鲜京;曹京佑;崔云庆 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/50;H01L33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 以及 照明 系统 | ||
1.一种发光器件,包括:
发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层;
所述发光结构上的荧光层;以及
所述荧光层上的光提取结构,
其中所述光提取结构将在所述发光结构中产生并且入射到所述荧光层和所述光提取结构之间的界面表面的光提取到所述发光结构的外部。
2.如权利要求1所述的发光器件,其中所述光提取结构包括周期性图案或者非周期性图案。
3.如权利要求1所述的发光器件,其中所述荧光层具有均匀的厚度。
4.如权利要求1所述的发光器件,其中所述光提取结构包括包含氧化物、氮化物以及氯化物中的至少一个的介电物质。
5.如权利要求1所述的发光器件,其中所述光提取结构包括具有不同于所述荧光层的折射率的折射率的材料。
6.如权利要求1所述的发光器件,进一步包括所述光提取结构上的背景材料,其中所述背景材料具有不同于所述光提取结构的折射率的折射率。
7.如权利要求2所述的发光器件,其中所述图案具有50nm至3000nm的周期。
8.如权利要求1所述的发光器件,进一步包括保护构件,所述保护构件倾斜地形成在所述发光结构下方。
9.如权利要求8所述的发光器件,进一步包括所述发光结构下面的第二电极层,
其中所述第二电极层包括欧姆层、反射层、结层、以及支撑衬底中的至少一个,其中所述保护构件周向地形成在所述发光结构和所述结层之间。
10.一种发光器件封装,包括:
如权利要求1至9中的任何一项所述的发光器件;和
在其中安装所述发光器件的封装主体。
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