[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件及其制造方法、发光器件封装、以及照明系统。

背景技术

发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结二极管。通过化合元素周期表的III和V族元素能够形成p-n结二极管。通过调节化合物半导体的组成比，LED能够表现出各种颜色。

当正向电压被施加给LED时，n层的电子与p层的空穴结合，使得可以产生与导带和价带之间的能隙相对应的能量。此能量主要被实现为热或者光，并且LED将能量发射作为光。

氮化物半导体表现出优秀的热稳定性和宽带隙能，因此氮化物半导体已经在光学器件和高功率电子器件的领域受到高度关注。特别地，已经开发并且广泛地使用采用氮化物半导体的蓝、绿、以及UV发光器件。

同时，为了实现白色LED封装，是光的三原色的红、绿以及蓝色的LED被相互组合，黄荧光体(YAG或者TAG)被添加到蓝色LED，或者在UV LED中采用红/绿/蓝荧光体。

然而，在根据现有技术的使用荧光体的白色LED封装中，荧光体可能不均匀地分布在LED芯片周围，导致宽的色温分布。

另外，根据现有技术，荧光体的分布面积相对大于LED的面积，使得荧光体可能没有均匀地分布在LED周围，导致宽的色温分布。

另外，根据现有技术，从通过荧光体转换的光背景材料的边界表面全反射并且然后被再次引入LED芯片，使得会降低白色LED的效率。

发明内容

实施例提供发光器件、发光器件的制造方法、以及发光器件封装，其能够提高通过荧光体转换的光的提取效率，并且减少根据辐射角度的色温的变化。

根据实施例的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；发光结构上的荧光层；以及荧光层上的光提取结构，其中该光提取结构将在发光结构中产生并且入射到荧光层和光提取结构之间的界面表面的光提取到发光结构的外部。

根据实施例的发光器件的制造方法包括：形成包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层的发光结构；在发光结构上形成荧光层；以及在荧光层上形成光提取结构。

根据实施例的发光器件封装包括：发光器件，该发光器件具有发光结构上的荧光层和荧光层上的光提取结构，其中该光提取结构将在发光结构中产生并且入射到荧光层和光提取结构之间的界面表面的光提取到发光结构的外部；以及在其中安装发光器件的封装主体。

根据实施例的照明系统包括发光模块，该发光模块包括发光封装。

附图说明

图1是示出根据实施例的发光器件的截面图；

图2是示出根据现有技术的发光器件的发光图案的视图；

图3是示出根据实施例的发光器件的发光图案的视图；

图4至图7a是示出根据实施例的发光器件的制造过程的截面图；

图7b是示出根据另一实施例的发光器件的截面图；

图8是示出根据实施例的发光器件封装的截面图；

图9是示出根据实施例的照明单元的透视图；以及

图10是示出根据实施例的背光单元的分解透视图。

具体实施方式

在下文中，将会参考附图详细地描述根据实施例的发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装和照明系统。

在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或衬底“上”时，它能够直接地在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。另外，还将会理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它能够是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或者多个中间层。

(实施例)

图1是示出根据实施例的发光器件100的截面图。

根据实施例的发光器件100包括：发光结构110，该发光结构110具有第一导电半导体层112、有源层114以及第二导电半导体层116；荧光层130，该荧光层130形成在发光结构110上；以及光提取结构140，该光提取结构140形成在荧光层130上。

详细地，光提取结构140可以包括图案。图案可以是周期性图案或者非周期性图案。另外，图案可以具有周期性地或者非周期性地重复的相同的形状或者不同的形状。

图案衍射、分散或者散射入射到荧光层130和光提取结构140之间的界面表面的光，并且可以具有各种形状而没有限制。

荧光层130可以具有均匀的厚度。