[发明专利]发光器件、发光器件封装以及具有其的照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第二导电类型半导体层；和

透明电极层，所述透明电极层形成在所述发光结构的上面和下面中的至少一个处，

其中所述透明电极层具有30nm至70nm的范围内的厚度以获得相对于420nm至510nm的光的波长范围的等于或者大于70％的透射率。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透明电极层具有等于或者小于大约2.1的折射率。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透明电极层包括金属氧化物基导电材料。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透明电极层被布置在所述第二导电类型半导体层上，并且所述发光器件进一步包括：

第一电极，所述第一电极被电气地连接到所述第一导电类型半导体层；和

第二电极，所述第二电极被电气地连接到所述透明电极层和所述第二导电类型半导体层中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透明电极层具有40nm至50nm的范围内的厚度，和相对于430nm至500nm的光的波长范围的等于或者大约80％的透射率。

6.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述透明电极层具有55nm至65nm的范围内的厚度，和相对于440nm至480nm的光的波长范围的等于或者大约80％的透射率。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透明电极层包括具有1.7至2.1的折射率范围的透明材料。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透明电极层形成在所述第一导电类型半导体层的下表面或者所述第二导电类型半导体层的上表面的50％或者更多的面积上。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透明电极层具有5％至10％的范围内的反射率。

10.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：

在所述第一导电类型半导体层下面的半导体层，所述半导体层包括II-VI族化合物和III-V族化合物中的一个；和

在所述半导体层下面的衬底。