[发明专利]发光器件、发光器件封装以及具有其的照明系统

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及发光器件、发光器件封装、以及具有其的照明系统。

背景技术

由于它们的物理和化学性能，III-V族氮化物半导体已经被关注作为诸如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等等的发光器件的核心材料。III-V族氮化物半导体的示例是具有In_xAl_yGa_1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。

LED是一种半导体器件，其使用半导体的特性将电变成光，或者被用作光源。

使用氮化物半导体材料的LED或LD主要被用在发光器件中以获得光，或者被应用为用于诸如蜂窝电话的键区发光部分、电子标识牌、以及照明装置、显示装置等等的各种装置的光源。

发明内容

实施例提供能够提高透明电极层的透射率的发光器件、发光器件封装、以及具有其的照明系统。

实施例提供能够通过调整透明电极层的厚度来提高光提取效率的发光器件、发光器件封装、以及具有其的照明系统。

实施例提供一种发光器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电类型半导体层；和透明电极层，该透明电极层形成在发光结构的上面和下面中的至少一个处，其中该透明电极层具有30nm至70nm的范围内的厚度以获得相对于420nm至510nm的光的波长范围的等于或者大于70％的透射率。

实施例提供一种发光器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电类型半导体层；和透明电极层，该透明电极层形成在发光结构的上面和下面中的至少一个处，其中该透明电极层具有150nm至190nm的范围内的厚度。

附图说明

图1是根据实施例的发光器件的侧截面图。

图2是使用图1中所示的发光器件的发光器件封装的示意性截面图。

图3是示出组成发光器件的各层中的光反射的示意图。

图4是示出在实施例中当ITO层是60nm厚时的根据光的波长的反射率的图。

图5是示出实施例中当ITO层是220nm厚时的根据光的波长的反射率的图。

图6是实施例中比较根据ITO层的厚度的透射率和反射率的图。

图7是示出根据实施例的使用UV光源的透射率的测量的示意图。

图8是示出在光的若干波长处的利用比较示例的发光器件测量的透射率与利用图7的发光器件测量的透射率之间的差异的图。

图9至图16是示出用于形成ITO层的溅射之前和之后的根据ITO层的厚度的光的透射率的图。

图17是比较当ITO层是和厚时的CIE颜色坐标上的发光器件的光分布的图。

图18是根据实施例的取决于ITO层的厚度的箱线和发光强度的图。

图19是设置有图2的发光器件封装的显示装置的分解透射图。

图20是示出设置有图2的发光器件封装的显示装置的另一示例的示意性截面图。

图21是设置有图2的发光器件封装的照明装置的透视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或者结构被称为在另一层(或膜)、区域、焊盘或者图案“上”时，术语“上”和“下”包括“直接地”和“间接地”的意义。此外，将基于附图参考关于每层的“上”和“下”。

现在参考附图将会更加完全地描述实施例，其中示出本发明的示例性实施例。在附图中，为了描述方便或清楚起见，每层的厚度和尺寸被夸大、省略或示意性绘制。此外，每个元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。

图1是根据实施例的发光器件的侧截面图。

参考图1，发光器件100包括：衬底111、半导体层112、第一导电类型半导体层113、有源层114、第二导电类型半导体层115、透明电极层120、第一电极160、以及第二电极117。

发光器件100可以包括使用包括多个半导体元素的化合物半导体层，例如，使用III-V族化合物半导体层的发光二极管(LED)，并且III-V族化合物半导体可以包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。LED可以是发射诸如蓝光、绿光或者红光的彩色光的彩色LED，或者UV(紫外线)LED。可以通过在实施例的技术范围内使用各种半导体实施从LED发射的光。