[发明专利]半导体装置用引线框及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置用引线框，其具有以下构成：

所述引线框具有：

导电基材；

形成于所述导电基材上的底镀层；

形成于底镀层上的有机覆膜；以及

形成于有机覆膜上的最表面镀层，

所述有机覆膜对于所述底镀层和所述最表面镀层具有金属键合性。

2.根据权利要求1所述的半导体装置用引线框，其中，

所述底镀层由贵金属构成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置用引线框，其中，

所述底镀层和所述最表面镀层由贵金属构成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置用引线框，其中，

所述有机覆膜由分子结构中具有两个以上的极性基的多个有机分子构成，且通过使各有机分子用所述两个以上的极性基的任一个与构成所述底镀层的金属键合，使所述有机覆膜覆盖所述底镀层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置用引线框，其中，

所述有机覆膜由自组织化的有机分子构成，

所述有机分子在两末端具有金属键合性的官能团。

6.根据权利要求5所述的半导体装置用引线框，其中，

所述有机分子的主链部由包括含有2原子以上的氮的含氮杂环、或芳基骨架、并苯骨架、芘骨架、菲骨架、芴骨架的至少一种以上的化合物、化学结构体或者衍生物构成。

7.根据权利要求6所述的半导体装置用引线框，其中，

所述含氮杂环为含有咪唑、三唑、四唑、                                                二唑、噻二唑、嘧啶、哒嗪、吡嗪、三嗪的至少一种以上的化合物、化学结构体或者衍生物。

8.根据权利要求5所述的半导体装置用引线框，其中，

所述金属键合性的官能团由包括硫醇化合物、硫化物、含氮杂环化合物中的一种以上的化合物、化学结构体或者衍生物构成。

9.一种半导体装置用引线框的制造方法，其经过：用于在导体基材上施加底镀层的底镀层形成工序；用于在所述底镀层的表面形成有机覆膜的有机覆膜形成工序；以及用于在所述有机覆膜层的表面施加最表面镀层的最表面镀层形成工序，其中，

在有机覆膜形成工序中，形成对于底镀层和最表面镀层具有金属键合性的有机覆膜。

10.根据权利要求9所述的半导体装置用引线框的制造方法，其中，

所述有机覆膜形成工序经过：使所述有机化合物分散于溶剂而制备分散液的分散液制备工序；以及将施加了所述底镀层的引线框浸渍于所述分散液的浸渍子工序。