[发明专利]光致抗蚀剂组合物

权利要求书

1.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：

具有由式(IA)表示的阴离子的锍盐：

其中R¹和R²独立地表示氢原子、C1-C12脂族烃基、C3-C20饱和环烃基、C6-C20芳族烃基或C7-C21芳烷基，并且所述脂族烃基、所述饱和环烃基、所述芳族烃基和所述芳烷基可以具有一个或多个选自由羟基、氰基、氟原子、三氟甲基和硝基组成的组中的取代基，并且所述脂族烃基中的一个或多个-CH₂-可以被-O-或-CO-代替，或R¹和R²相互结合以与它们连接的氮原子一起形成C4-C20含氮环，

丙烯酸类树脂，其具有酸不稳定基团，并且不溶或难溶于碱性水溶液，但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液，和

酸生成剂。

2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述具有由式(IA)表示的阴离子的锍盐具有由式(IB)表示的阳离子：

其中R³、R⁴和R⁵在每次出现时独立地是羟基、卤素原子、C1-C12烷氧基、C1-C30脂族烃基、C3-C36饱和环烃基或C6-C18芳族烃基，并且所述脂族烃基中的一个或多个氢原子可以被羟基、C1-C12烷氧基或C6-C18芳族烃基代替，所述饱和环烃基的一个或多个氢原子可以被卤素原子、C2-C4酰基或缩水甘油氧基代替，所述芳族烃基的一个或多个氢原子可以被卤素原子、羟基、C1-C36脂族烃基、C3-C36饱和环烃基或C1-C12烷氧基代替，并且mx、my和mz独立地表示0至5的整数。

3.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中R¹和R²独立地表示C1-C12脂族烃基、C3-C20饱和环烃基、C6-C20芳族烃基或C7-C21芳烷基，并且所述脂族烃基、所述饱和环烃基、所述芳族烃基和所述芳烷基可以具有一个或多个选自由羟基、氰基、氟原子、三氟甲基和硝基组成的组中的取代基，并且所述脂族烃基中的一个或多个-CH₂-可以被-O-或-CO-代替，或R¹和R²相互结合以与它们连接的氮原子一起形成C4-C20含氮环。

4.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中R¹表示C1-C12脂族烃基、C3-C20饱和环烃基、C6-C20芳族烃基或C7-C21芳烷基，并且所述脂族烃基、所述饱和环烃基、所述芳族烃基和所述芳烷基可以具有一个或多个选自由羟基、氰基、氟原子、三氟甲基和硝基组成的组中的取代基，并且所述脂族烃基中的一个或多个-CH₂-可以被-O-或-CO-代替，R²表示C7-C20饱和环烃基、C6-C20芳族烃基或C7-C21芳烷基，并且所述脂族烃基、所述饱和环烃基、所述芳族烃基和所述芳烷基可以具有一个或多个选自由羟基、氰基、氟原子、三氟甲基和硝基组成的组中的取代基，并且所述脂族烃基中的一个或多个-CH₂-可以被-O-或-CO-代替，或R¹和R²相互结合以与它们连接的氮原子一起形成C4-C20含氮环。

5.一种用于制造光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括下列步骤(1)至(5)：

(1)将根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物涂覆在衬底上的步骤，

(2)通过进行干燥形成光致抗蚀剂膜的步骤，

(3)将所述光致抗蚀剂膜对辐射曝光的步骤，

(4)将经曝光的光致抗蚀剂膜烘焙的步骤，和

(5)用碱性显影剂使经烘焙的光致抗蚀剂膜显影，从而形成光致抗蚀剂图案的步骤。

6.一种由式(I)表示的盐：

其中R³，R⁴和R⁵在每次出现时独立地是羟基、卤素原子、C1-C12烷氧基、C1-C30脂族烃基、C3-C36饱和环烃基或C6-C18芳族烃基，并且所述脂族烃基中的一个或多个氢原子可以被羟基、C1-C12烷氧基或C6-C18芳族烃基代替，所述饱和环烃基的一个或多个氢原子可以被卤素原子、C2-C4酰基或缩水甘油氧基代替，所述芳族烃基的一个或多个氢原子可以被卤素原子、羟基、C1-C36脂族烃基、C3-C36饱和环烃基或C1-C12烷氧基代替，mx、my和mz独立地表示0至5的整数，并且

W¹表示可以具有一个或多个取代基的含氮杂环。