[发明专利]光致抗蚀剂组合物无效
申请号: | 201110038475.6 | 申请日: | 2011-02-14 |
公开(公告)号: | CN102162995A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 增山达郎;山口训史 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;G03F7/039;G03F7/00;H01L21/027;C07C321/30;C07C319/20;C07D215/58;C07D207/48;C07D211/96 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柳春琦 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光致抗蚀剂 组合 | ||
技术领域
本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物。
背景技术
光致抗蚀剂组合物用于采用光刻工艺的半导体微型制造。
US 2008/0166660A1公开了一种光致抗蚀剂组合物,其包含树脂、酸生成剂、猝灭剂和溶剂,所述树脂具有:衍生自甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯的结构单元,衍生自甲基丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯的结构单元,衍生自甲基丙烯酸-2-(5-氧代-4-氧杂三环[4.2.1.03,7]壬-2-基氧基)-2-氧代乙酯的结构单元和衍生自α-甲基丙烯酰氧基-γ-丁内酯的结构单元,所述酸生成剂包含4-氧代金刚烷-1-基氧基羰基(二氟)甲磺酸三苯锍,所述猝灭剂包含2,6-二异丙基苯胺。
US 5,998,099A公开了作为光致抗蚀剂组合物用添加剂的环己烷氨基磺酸双(叔丁基苯基)碘盐和包含环己烷氨基磺酸双(叔丁基苯基)碘盐的光致抗蚀剂组合物。
发明内容
本发明在于提供一种光致抗蚀剂组合物。
本发明涉及下列各项:
<1>一种光致抗蚀剂组合物,所述的光致抗蚀剂组合物包含:
具有由式(IA)表示的阴离子的锍盐:
其中R1和R2独立地表示氢原子、C1-C12脂族烃基、C3-C20饱和环烃基、C6-C20芳族烃基或C7-C21芳烷基,并且所述脂族烃基、所述饱和环烃基、所述芳族烃基和所述芳烷基可以具有一个或多个选自由羟基、氰基、氟原子、三氟甲基和硝基组成的组中的取代基,并且所述脂族烃基中的一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替,或R1和R2相互结合以与它们连接的氮原子一起形成C4-C20含氮环,
丙烯酸类树脂,其具有酸不稳定基团,并且不溶或难溶于碱性水溶液,但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液,和
酸生成剂;
<2>根据<1>所述的光致抗蚀剂组合物,其中具有由式(IA)表示的阴离子的锍盐具有由式(IB)表示的阳离子:
其中R3,R4和R5在每次出现时独立地是羟基、卤素原子、C1-C12烷氧基、C1-C30脂族烃基、C3-C36饱和环烃基或C6-C18芳族烃基,并且所述脂族烃基中的一个或多个氢原子可以被羟基、C1-C12烷氧基或C6-C18芳族烃基代替,所述饱和环烃基的一个或多个氢原子可以被卤素原子、C2-C4酰基或缩水甘油氧基代替,所述芳族烃基的一个或多个氢原子可以被卤素原子、羟基、C1-C36脂族烃基、C3-C36饱和环烃基或C1-C12烷氧基代替,并且mx,my和mz独立地表示0至5的整数;
<3>根据<1>或<2>所述的光致抗蚀剂组合物,其中R1和R2独立地表示C1-C12脂族烃基、C3-C20饱和环烃基、C6-C20芳族烃基或C7-C21芳烷基,并且所述脂族烃基、所述饱和环烃基、所述芳族烃基和所述芳烷基可以具有一个或多个选自由羟基、氰基、氟原子、三氟甲基和硝基组成的组中的取代基,并且所述脂族烃基中的一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替,或R1和R2相互结合以与它们连接的氮原子一起形成C4-C20含氮环;
<4>根据<1>或<2>所述的光致抗蚀剂组合物,其中R1表示C1-C12脂族烃基、C3-C20饱和环烃基、C6-C20芳族烃基或C7-C21芳烷基,并且所述脂族烃基、所述饱和环烃基、所述芳族烃基和所述芳烷基可以具有一个或多个选自由羟基、氰基、氟原子、三氟甲基和硝基组成的组中的取代基,并且所述脂族烃基中的一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替,
R2表示C7-C20饱和环烃基、C6-C20芳族烃基或C7-C21芳烷基,并且所述脂族烃基、所述饱和环烃基、所述芳族烃基和所述芳烷基可以具有一个或多个选自由羟基、氰基、氟原子、三氟甲基和硝基组成的组中的取代基,并且所述脂族烃基中的一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替,或
R1和R2相互结合以与它们连接的氮原子一起形成C4-C20含氮环;
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