[发明专利]镀膜件及其制备方法无效
申请号: | 201110038498.7 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN102634754A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;黄嘉 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/35;H01L31/0224;H01L31/18 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种镀膜件及该镀膜件的制备方法。
背景技术
透明导电氧化物(transplant conductive oxide,TCO)属于半导体光电子材料。TCO薄膜具有良好的可见光透过性、高的红外光反射性及低的电阻率等特性,因而在太阳能电池、液晶显示器、透明电机、透明电磁屏蔽、抗静电装置、触敏覆盖层、电荷耦合成像器件及红外热反射镜等领域有着广泛的应用。
掺锡氧化铟(Indium tin oxide,ITO)薄膜为当前使用较为广泛的透明导电层。然而,ITO薄膜作为光电器件的透明电极使用时,铟发生扩散,影响器件性能的稳定,尤其会引起薄膜太阳电池性能的衰减。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种减少膜层扩散的镀膜件。
另外,还有必要提供一种上述镀膜件的制备方法。
一种镀膜件,包括基材、第一透明导电层、金属层及第二透明导电层,该第一透明导电层形成于基材上,该金属层形成于第一透明导电层上,该第二透明导电层形成于金属层上,该第一透明导电层及第二透明导电层均由锡、锑及锌的氧化物组成,该第一透明导电层及第二透明导电层中氧化锌、氧化锑的摩尔百分含量均为:氧化锌30~50%,氧化锑1~5%,余量为氧化锡。
一种镀膜件的制备方法,包括如下步骤:
提供基材、真空镀膜机、合金靶材及金属靶材,该合金靶材由锡、锌及锑组成,其中各原子的百分含量为:锡45~65%,锑1~5%,锌30~45%,
将基材、合金靶材及金属靶材安装于真空镀膜机内;
开启所述合金靶材以在基材上形成第一透明导电层;
开启所述金属靶材以在所述第一透明导电层上形成金属层;
开启所述合金靶材以在所述金属层上形成第二透明导电层。
本发明的镀膜件在基材的表面沉积第一透明导电层,该金属层设置于第一透明导电层与第二透明导电层之间,提高了膜层间的结合力,该第一透明导电层及第二透明导电层由锡、锌及锑的氧化物组成,不易发生扩散,稳定性好,并降低了膜层的电阻率。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例镀膜件的剖视图;
图2是本发明一较佳实施例真空镀膜机的示意图。
主要元件符号说明
镀膜件 10
基材 11
第一透明导电层 13
金属层15 15
第二透明导电层 17
真空镀膜机 20
镀膜室 21
合金靶材 23
金属靶材 24
具体实施方式
请参阅图1,本发明镀膜件10包括基材11、依次形成于基材11表面的第一透明导电层13、金属层15及第二透明导电层17。该第一透明导电层13通过镀膜的方式形成于基材11表面,该金属层15通过镀膜的方式覆盖于第一透明导电层13上,该第二透明导电层17通过镀膜方式覆盖于金属层15上。在本发明较佳实施例中,该第一透明导电层13及第二透明导电层17以溅镀合金靶材23的方式形成,该第一透明导电层13的厚度为200~400nm,该第二透明导电层17的厚度为200~400nm。该第一透明导电层13及第二透明导电层17均由锡(tin,元素符号为Sn)、锑(antimony,元素符号为Sb)及锌(zinc,元素符号为Zn)的氧化物组成,该第一透明导电层13及第二透明导电层17中氧化锌、氧化锑的摩尔百分含量分别为:氧化锌30~50%,氧化锑1~5%,余量为氧化锡。该金属层15通过溅镀金属形成,其厚度为10~25nm。该镀膜件10的电阻率为2~5×10-3欧姆·米,可见光的透过率为85~87.5%。
该基材11可为玻璃或陶瓷,该金属层15由高导电且光谱反射率较高的金属,如银或者铝。
该合金靶材23由锡粉体、锌粉体及锑粉体通过烧结形成。其中,锡、锌及锑的原子百分含量为:锡45~65%,锌30~45%及锑1~5%。
本发明较佳实施方式的镀膜件10的制备方法,其包括以下步骤:
提供一基材11,该基材11可为玻璃或陶瓷。
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