[发明专利]半导体存储器装置有效
申请号: | 201110038959.0 | 申请日: | 2011-02-16 |
公开(公告)号: | CN102163179A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 浅野滋博;吉井谦一郎;福富和弘;菅野伸一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F12/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储器 装置 | ||
1.一种半导体存储器装置,包括:
半导体存储器芯片,其具有多个存储区;
第一写入控制单元,其被配置为从信息处理装置接收用于写入与逻辑块地址相关联的第一数据的请求,并进行在所述半导体存储器芯片的所述存储区当中的已从其中擦除了数据的已擦除的存储区中的未写入位置中写入所述第一数据的第一写入;
第一存储单元,其被配置为在其中存储关联信息,所述关联信息表示指示出所述第一数据被写入的位置的物理地址和与所述第一数据相关联的所述逻辑块地址之间的关联;
第二写入控制单元,其被配置为接收用于写入与已经写入的第二数据关联于相同的逻辑块地址的第三数据的请求,并在所述半导体存储器芯片的所述存储区当中的已擦除的存储区中的未写入位置中写入所述第三数据;
第一更新单元,其被配置为当所述第二写入控制单元写入所述第三数据时将所述关联信息更新为指示出所述逻辑块地址和用于所述第三数据的物理地址之间的关联的关联信息;
第三写入控制单元,其被配置为通过进行将第四数据写入被擦除的另一存储区中的第二写入而进行垃圾收集,所述第四数据不是无效的且在所述半导体存储器芯片的先前写入了所述第二数据的存储区中;以及
频率调整单元,其被配置为根据预先设定的比率而调整响应于来自所述信息处理装置的请求的所述第一写入的频率和用于所述垃圾收集的所述第二写入的频率。
2.根据权利要求1的半导体存储器装置,其中
所述频率调整单元包括:
寄存器,在其中设定所述比率;
确定单元,其被配置为根据在所述寄存器中设定的所述比率、所述第一写入已被进行的频率以及所述第二写入已被进行的频率而确定将要进行所述第一写入或所述第二写入中的哪一个;以及
选择单元,其被配置为根据所述确定单元的确定而使所述第一写入控制单元进行所述第一写入或使所述第二写入控制单元进行所述第二写入。
3.根据权利要求1的半导体存储器装置,还包括:
第二存储单元,其被配置为在其中存储无效信息,所述无效信息指示出在所述物理地址中写入的数据是否为无效的;以及
改变单元,其被配置为当所述第二写入控制单元写入所述第三数据时将所述无效信息改变为指示出所述第二数据为无效的信息。
4.根据权利要求3的半导体存储器装置,还包括:
第二更新单元,其被配置为根据未写入存储区的数目而更新所述比率的设定,对于所述未写入存储区,在其中写入的所有数据的所述无效信息被改变为指示出所述数据为无效的信息。
5.根据权利要求1的半导体存储器装置,还包括:
设定单元,其被配置为设定指针,所述指针指向在所述半导体存储器芯片中的所述已擦除的存储区中的将要进行写入的位置,
其中,当进行了在所述半导体存储器芯片中的存储区中的写入时,所述设定单元将所述指针更新为指向在进行了所述写入的位置之后的新位置。
6.根据权利要求1的半导体存储器装置,其中
所述第一写入控制单元包括:
分割单元,其被配置为当被请求写入的所述第一数据的尺寸大于预定单位时,将所述第一数据按所述预定单位分割为段;以及
写入单元,其被配置为将由此分割的所述第一数据的所述段写入所述半导体存储器芯片的各存储区。
7.根据权利要求6的半导体存储器装置,其中
所述频率调整单元根据所述比率而调整所述预定单位的所述第一写入的频率和用于所述垃圾收集的所述第二写入的频率。
8.根据权利要求6的半导体存储器装置,还包括:
第二存储单元,其被配置为在其中存储无效信息,所述无效信息指示出在所述物理地址中写入的数据是否为无效的;以及
改变单元,其被配置为当所述第二写入控制单元写入所述第三数据时将所述无效信息改变为指示出所述第二数据为无效的信息,其中
所述预定单位为页,
由此分割的所述第一数据的所述段为各页中的数据,
所述第二存储单元在其中存储指示出所述存储区中的哪页不是无效的所述无效信息,并且
所述改变单元将所述无效信息改变为指示出所述第二数据被写入的页为无效的信息。
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