[发明专利]磁头检查方法以及磁头制造方法无效
申请号: | 201110039238.1 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN102194467A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 中込恒夫;松下典充 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高科技 |
主分类号: | G11B5/455 | 分类号: | G11B5/455 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 日本东京港区*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁头 检查 方法 以及 制造 | ||
技术领域
本发明涉及一种对薄膜磁头(thin-film magnetic head)进行检查的磁头检查方法以及磁头制造方法,特别是涉及一种可对光学显微镜所无法检查的薄膜磁头的轨道宽度(track width)进行检查的磁头检查方法以及磁头制造方法。
背景技术
近年来,随着硬盘驱动器(Hard Disk Drive,HDD)的面记录密度的急剧增加,薄膜磁头的写入轨道宽度也变得微细,正确地对借由薄膜磁头中所含的记录头(元件)来写入至磁盘(magnetic disk)上的写入轨道宽度进行检查的技术的重要性增加。
以往,利用光学显微镜来对薄膜磁头中所含的记录头(元件)的形状实施测定,但随着轨道宽度的微细化,写入轨道宽度变为光学系统解析度以下,由此,光学显微镜难以对记录头(元件)的形状进行测定。因此,最近使用扫描型电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)来代替光学显微镜,对记录头(元件)的形状实施测定。但是,利用SEM来进行的测定是破坏检查,另外,该SEM与光学显微镜同样地仅对记录头(元件)的物理性形状进行测定,且具有如下的问题,即,难以对与实际写入至磁盘上的磁性有效轨道宽度(写入轨道宽度)的相互关系进行测定。另外,还存在使用原子力显微镜(Atomic Force Microscope:AFM)来对记录头(元件)的形状进行测定的技术,但在此情况下,仍存在与上述问题相同的问题。最近,一种磁头测定装置已揭示在专利文献1中,该磁头测定装置可使用磁力显微镜(Magnetic Force Microscope:MFM),以视觉来观察记录头的磁场特性即磁场饱和现象。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2003-248911号公报
[专利文献2]日本专利特开2009-230845号公报
当像以往那样,使用扫描型电子显微镜(SEM)或原子力显微镜(AFM)来对磁头(记录头)的形状进行测定时,虽可对记录头(元件)的物理性形状进行测定,但无法对实际写入至磁盘上的磁性有效轨道宽度(写入轨道宽度)进行测定。因此,以往是在磁头与悬架(suspension)形成一体之后的状态(磁头万向架组件(Head Gimbal Assembly,HGA)状态)或类似HGA状态下,使用称为自旋支架(spin stand)的磁头。磁盘专用的测定装置来对写入轨道宽度进行检查。
但是,对于使用自旋支架来进行的检查而言,只有在HGA状态或类似HGA状态的磁头制造的最终步骤中,才可对所述写入轨道宽度实施检查,因此,从如下的观点考虑,即,响应使生产性提高或在制造时的早期作出反馈(feedback)这一要求,所述使用自旋支架来进行的检查不太理想。
因此,本申请案的申请人提出了专利文献2所揭示的磁头检查方法以及装置,该磁头检查方法以及装置可在制造步骤途中的较早阶段,对磁头的写入轨道宽度进行检查。对于所述磁头检查方法以及装置而言,将记录信号(磁化用信号)从焊盘(bonding pad)输入至横条(row bar)状态的薄膜磁头,使磁力显微镜(MFM)在离开与磁头的悬浮高度相当的距离的位置进行扫描(scan)移动,利用该磁力显微镜(MFM)来直接对薄膜磁头中所含的记录头(元件)所产生的磁场的情况进行观察,借此来对记录头(元件)产生的磁场形状进行测定,而非对该记录头(元件)的物理性形状进行测定,从而以非破坏的方式来对磁性有效轨道宽度实施检查。
图1是表示使用专利文献2所揭示的磁头检查方法以及装置来对磁头的有效轨道宽度进行检查时的扫描方式的一例的图。在利用磁力显微镜(MFM)来对检查区域(area)进行扫描的情况下,将检查区域分割成100行(line)×100个点(point),使原子力显微镜(AFM)对所述各点进行扫描,从而对各点的表面形状(凹凸像)进行测定(扫描(scanning))。这原因在于:对原子力显微镜(AFM)所获得的检查区域的三维表面形状实施影像过滤处理,将粒子(particle)等予以除去,一面对悬臂(cantilever)(检查用探针)前端的高度进行控制,使该悬臂前端处于与横条状态的薄膜磁头相距与磁头的悬浮高度相当的距离的固定高度的位置,一面进行磁力显微镜(MFM)的扫描并进行观察。
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