[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统有效
申请号: | 201110039408.6 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN102222747A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 金省均;林祐湜;金明洙;秋圣镐;罗珉圭 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 以及 照明 系统 | ||
1.一种发光器件,包括:
衬底;
发光结构层,所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第二导电类型半导体层;
第二电极,所述第二电极在所述发光结构层上;
第一电极,所述第一电极被布置在所述衬底中并且从所述衬底的下部延伸到所述第一导电类型半导体层的下部,所述第一电极被布置在所述有源层的区域下面;
接触部分,所述接触部分具有比被布置在所述衬底中的所述第一电极的宽度宽的宽度,并且所述接触部分被布置在所述第一导电类型半导体层的下部处;以及
第一电极层,所述第一电极层被布置在所述衬底下并且被连接到所述第一电极。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中提供多个所述第一电极,提供多个所述接触部分,并且所述多个接触部分中的至少一个距离所述第一导电类型半导体层的边缘部分比距离所述第一导电类型半导体层的中心部分更近。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其中所述第一电极层连接所述多个第一电极的下部。
4.根据权利要求3所述的发光器件,其中所述第一电极层的下表面的宽度等于或窄于所述衬底的下表面并且宽于所述第一导电类型半导体层的下表面的宽度。
5.根据权利要求1所述的发光器件,进一步包括第一半导体层,所述第一半导体层由II至VI族元素形成并且被布置在所述衬底和所述发光结构层之间,其中所述第一电极和所述接触部分中的至少一个被布置在所述第一半导体层中。
6.根据权利要求4所述的发光器件,其中所述衬底的下表面和上表面中的至少一个包括凹凸结构。
7.根据权利要求1所述的发光器件,进一步包括在所述接触部分和所述第一导电类型半导体层之间的反射层和吸收层中的至少一个。
8.根据权利要求2所述的发光器件,进一步包括桥接部分,所述桥接部分连接在所述多个接触部分之间。
9.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述接触部分和所述第一导电类型半导体层的接触表面是粗糙的。
10.根据权利要求1所述的发光器件,进一步包括在所述第二导电类型半导体层和所述第二电极之间的第二电极层。
11.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述衬底包括透射衬底并且所述接触部分对应于所述有源层的区域。
12.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一导电类型半导体层包括:
第一半导体层,所述第一半导体层具有低导电性并且被布置在所述衬底和所述有源层之间;和
第二半导体层,所述第二半导体层具有高于所述第一半导体层的导电性的导电性并且被布置在所述第一半导体层和所述有源层之间。
13.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一电极的下部被连接到所述接触部分,并且所述接触部分和所述第一电极的下部具有比被布置在所述衬底中的所述第一电极的宽度宽的宽度。
14.根据权利要求10所述的发光器件,其中所述第一电极层包括反射层并且所述第二电极层包括透射层。
15.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第二电极的至少一部分在垂直方向上重叠所述第一电极,并且
进一步包括在所述接触部分和所述第一导电类型半导体层之间的反射层和吸收层中的至少一个。
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