[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件、发光器封装以及照明系统。

背景技术

由于物理和化学特性，III-V族氮化物半导体被视为用于诸如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的发光器件的核心材料。通常，III-V族氮化物半导体由具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。

LED是下述半导体器件，其被用作光源或者用于通过使用化合物半导体的特性将电转换为红外线或者光来发送信号。

使用氮化物半导体材料的这样的LED或者LD被广泛地用作发光器件。例如，LED和LD被广泛地用作诸如蜂窝电话的键区发光单元、电子显示器、以及照明装置的各种产品的光源。

发明内容

实施例提供具有新的电极结构的发光器件。

实施例提供包括生长衬底和垂直电极结构的发光器件。

实施例提供包括被布置在有源层的区域下面的第一电极和被布置在有源层的区域上的第二电极的发光器件。

实施例提供更加可靠的发光器件、发光器件封装以及照明系统。

在一个实施例中，发光器件包括：衬底；发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电类型半导体层；在发光结构上的第二电极；第一电极，该第一电极被布置在衬底中并且从衬底的下部延伸到第一导电类型半导体层的下部，第一电极被布置在有源层的区域下面；接触部分，该接触部分具有比被布置在衬底中的第一电极的宽度宽的宽度并且被布置在第一导电类型半导体层的下部处；以及第一电极层，该第一电极层被布置在衬底下面并且被连接到第一电极。

在另一实施例中，发光器件包括：透射衬底；在衬底下面的第一电极层；发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电类型半导体层；多个第一电极，该多个第一电极被布置在衬底中并且从第一电极层延伸到第一导电类型半导体层的下部；在发光结构层上的第二电极层；在第二电极层上的第二电极；以及接触部分，该接触部分接触被布置在有源层下面的第一导电类型半导体层的下部，并且具有不同于被布置在衬底中的第一电极的宽度的宽度。

在又一实施例中，发光器件封装包括：主体；在主体上的多个引线电极；在引线电极中的至少一个上的发光器件；以及成型构件，该成型构件覆盖发光器件，其中发光器件包括：衬底；发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电类型半导体层；在发光结构上的第二电极；第一电极，该第一电极被布置在衬底中并且从衬底的下部延伸到第一导电类型半导体层的下部，该第一电极被布置在有源层的区域下面；接触部分，该接触部分具有比被布置在衬底中的第一电极的宽度宽的宽度并且被布置在第一导电类型半导体层的下部处；以及第一电极层，该第一电极层被布置在衬底下面并且被连接到第一电极。

在附图和下面的说明书中阐述一个或者多个实施例的细节。根据说明书和附图以及权利要求，其它的特征将会是显而易见的。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的侧截面图。

图2是示出图2的发光器件的平面图。

图3至图7是用于解释图1的发光器件的制造工艺的视图。

图8是示出根据第二实施例的发光器件的侧截面图。

图9是示出根据第三实施例的发光器件的侧截面图。

图10和图11是用于解释根据第四实施例的发光器件的制造工艺的视图。

图12至图14是用于解释根据第五实施例的发光器件的制造工艺的视图。

图15是示出根据第六实施例的发光器件的视图。

图16是示出根据第七实施例的发光器件的侧截面图。

图17是示出根据第八实施例的发光器件的侧截面图。

图18是示出根据实施例的发光器件封装的视图。

图19是示出根据实施例的显示装置的图；

图20是示出根据实施例的另一显示装置的图；以及

图21是示出根据实施例的照明装置的图。

具体实施方式