[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法有效
申请号: | 201110039435.3 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN102163617A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 朴容佑 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;王琦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示设备,包括:
电连接到薄膜晶体管的像素电极;
至少部分地包围所述像素电极并限定像素区的像素限定层;
与所述像素限定层相邻的隔离物;
与所述像素电极对应的第二电极;以及
在所述像素电极与所述第二电极之间的有机发光层,
其中所述像素限定层在所述像素电极与所述有机发光层之间的锥角在15度到30度的范围内。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述像素限定层具有小于的厚度。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述隔离物与所述像素为一体,且从所述像素限定层突出。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中所述第二电极面对所述像素电极。
5.一种制造有机发光显示设备的方法,包括:
在像素电极上形成有机绝缘材料层;
在所述有机绝缘材料层上放置包括光阻挡部分、部分透射部分和光透射部分的半色调掩模;
执行暴露工艺,使得所述像素电极与所述光透射部分对应,至少部分地包围所述像素电极的像素限定层与所述部分透射部分对应,并且与所述像素限定层相邻的隔离物与所述光阻挡部分对应;以及
蚀刻所述有机绝缘材料层的部分,使得在所述像素电极上的像素区至少部分地被与所述暴露工艺对应的所述像素限定层和所述隔离物包围。
6.根据权利要求5所述的制造有机发光显示设备的方法,其中所述暴露工艺包括散焦工艺,其中至少一束光远离所述有机绝缘材料层的暴露表面聚焦。
7.根据权利要求6所述的制造有机发光显示设备的方法,其中所述散焦工艺包括在离所述有机绝缘材料层的暴露表面10μm至15μm处聚焦所述至少一束光。
8.根据权利要求5所述的制造有机发光显示设备的方法,其中所述像素限定层在所述像素电极与所述有机发光层之间的锥角在15度到30度之间。
9.根据权利要求5所述的制造有机发光显示设备的方法,其中所述像素限定层具有小于的厚度。
10.根据权利要求5所述的制造有机发光显示设备的方法,其中所述光阻挡部分具有0%的透光率,所述部分透射部分具有40%到70%的透光率,并且所述光透射部分具有100%的透光率。
11.根据权利要求5所述的制造有机发光显示设备的方法,其中所述有机绝缘材料层的所述部分在所述暴露工艺期间被暴露。
12.根据权利要求5所述的制造有机发光显示设备的方法,进一步包括:制备所述半色调掩模。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的