[发明专利]IC卡模块的封装方法有效
申请号: | 201110039517.8 | 申请日: | 2011-02-16 |
公开(公告)号: | CN102646606A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 李建军;魏云海;王久君 | 申请(专利权)人: | 中电智能卡有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;G06K19/077 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 何春兰 |
地址: | 102200 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | ic 模块 封装 方法 | ||
1.一种IC卡模块的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括下述步骤:
A,提供PCB电子载板和芯片,所述电子载板包括绝缘层,在绝缘层的下表面设置有导电层,所述导电层的下表面或设有非接触式模块的外接天线焊盘或设有接触式模块的触点,所述导电层的上表面设有多个焊盘,所述芯片上设有多个导电凸点;
B,通过表面组装技术方式将所述芯片的导电凸点贴装在电子载板的焊盘上;
C,使导电凸点与焊盘相连接并形成键合点,成为成品模块。
2.根据权利要求1所述的IC卡模块的封装方法,其特征在于,上述步骤A还包括步骤A1,在导电层的下表面的电镀形成第一保护层,所述第一保护层或形成非接触式模块的外接天线焊盘或形成接触式模块的触点,在绝缘层上设有多个能使导电层的上表面具有外露部分的焊盘孔,所述导电层的外露部分的上表面电镀形成第二保护层,所述第二保护层成为焊盘。
3.一种IC卡模块的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括下述步骤:
A,提供PCB电子载板和芯片,所述电子载板包括绝缘层,在绝缘层的下表面设置第一导电层,在绝缘层的上表面设置第二导电层,所述第一导电层上或设有非接触式模块的外接天线焊盘或设有接触式模块的触点,所述第二导电层设有多个焊盘,所述芯片上设有多个导电凸点;
B,通过表面组装技术方式将所述芯片的导电凸点贴装在电子载板的焊盘上;
C,使导电凸点与焊盘相连接并形成键合点,成为成品模块。
4.根据权利要求3所述的IC卡模块的封装方法,其特征在于,上述步骤A还包括步骤A1,在第一导电层的下表面的电镀形成第一保护层,所述第一保护层或形成非接触式模块的外接天线焊盘或形成接触式模块的触点,在第二导电层的上表面的多处电镀形成第二导电保护层,所述第二保护层成为焊盘,所述绝缘层上设有使第一、二导电层相连的导电通道。
5.根据权利要求1所述的IC卡模块的封装方法,其特征在于,上述步骤C中,通过将回流焊接或常温固化或加热固化,使导电凸点与焊盘相连接并形成键合。
6.根据权利要求1或3所述的IC卡模块的封装方法,其特征在于,上述步骤C还包括步骤C1,在导电凸点与焊盘形成键合后,利用胶水,在芯片与绝缘层之间进行底部填充。
7.根据权利要求1或3所述的IC卡模块的封装方法,其特征在于,上述步骤A中的所述导电凸点为锡球凸点;上述步骤B还包括步骤B1,将焊膏印刷在焊盘上,所述芯片以其锡球凸点通过焊膏粘结在焊盘上。
8.根据权利要求1或3所述的IC卡模块的封装方法,其特征在于,上述导电层为铜层或铝层,所述第一或第二导电保护层分别为金层或银层。
9.根据权利要求1所述的IC卡模块的封装方法,其特征在于,上述第二导电层的上表面设置有阻焊层。
10.一种用于IC卡模块的PCB电子载板,其特征在于,所述PCB电子载板具有形成矩阵阵列的多个如权利要求1至9任意一项所述的IC卡模块,所述PCB电子载板排布超出3排3列以上矩阵排列的所述接触式IC卡模块。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电智能卡有限责任公司,未经中电智能卡有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110039517.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种双注册处理方法及装置
- 下一篇:一种脂肪族磺酸盐高效减水剂的合成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造