[发明专利]CMOS器件及其形成方法无效
| 申请号： | 201110039628.9 | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102646637A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 胥传金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种CMOS器件的形成方法，所述CMOS器件包含至少一个PMOS晶体管和至少一个NMOS晶体管，其特征在于，包括：
在所述PMOS晶体管的源极区和漏极区中形成锗硅层；
在所述PMOS晶体管和NMOS晶体管的源极区和漏极区中形成镍硅层；
沉积张应力膜层，所述张应力膜层覆盖所述PMOS晶体管和NMOS晶体管；
去除所述PMOS晶体管上的张应力膜层；
对剩余的张应力膜层进行紫外线固化工艺；
沉积压应力膜层，所述压应力膜层覆盖所述PMOS晶体管和NMOS晶体管；
去除所述NMOS晶体管上的压应力膜层。
2.如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述镍硅层是利用自对准工艺形成的。
3.如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述张应力膜层的材料为氮化硅。
4.如权利要求3所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述张应力膜层的厚度为300埃～700埃。
5.如权利要求3或4所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，在温度为300℃～600℃的反应腔室内沉积张应力膜层。
6.如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述紫外线固化工艺的工艺时间为5min～15min。
7.如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述紫外线固化工艺的紫外光源的波长为150nm～380nm。
8.如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，通过对剩余的所述张应力膜层进行紫外线固化工艺，使得所述张应力膜层的应力强度提高600MPa～1000MPa。
9.如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述压应力膜层的材料为氮化硅。
10.如权利要求9所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述压应力膜层的厚度为400埃～800埃。
11.如权利要求9或10所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，在温度为300℃～600℃的反应腔室内沉积压应力膜层。
12.一种如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法所形成的CMOS器件，所述CMOS器件包含至少一个PMOS晶体管和至少一个NMOS晶体管，其特征在于，在所述PMOS晶体管的源极区和漏极区中形成有锗硅层；在所述PMOS晶体管和NMOS晶体管的源极区和漏极区中形成有镍硅层；所述NMOS晶体管上覆盖有经紫外线固化的张应力膜层；所述PMOS晶体管上覆盖有压应力膜层。
13.如权利要求12所述的CMOS器件，其特征在于，所述张应力膜层的厚度为300埃～700埃。
14.如权利要求12所述的CMOS器件，其特征在于，所述压应力膜层的厚度为400埃～800埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
