[发明专利]区域字元线驱动器及其闪存数组装置有效
申请号: | 201110039640.X | 申请日: | 2011-02-17 |
公开(公告)号: | CN102646449A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 赤荻隆男 | 申请(专利权)人: | 宜扬科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/24 | 分类号: | G11C16/24 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 区域 字元 驱动器 及其 闪存 数组 装置 | ||
1.一种区域字符线驱动器,其系用于驱动反或型闪存的内存数组中一区段内的一区域字符线,所述的区域字符线驱动器具有的晶体管数量系为两个,其特征在于,所述的区域字符线驱动器由下列串联的二晶体管组成:
一第一晶体管,系为NMOS晶体管,其栅极端用于接收一全域字符线译码器的第一控制信号,其漏极端耦接一漏极控制端用于接收一漏极控制信号,其源极端则耦接所述的区域字符线;及
一第二晶体管,系为NMOS晶体管,其栅极端用于接收所述的全域字符线译码器的第二控制信号,其漏极端耦接所述的第一晶体管的源极端以及耦接所述的区域字符线,其源极端耦接一源极控制端用于接收一源极控制信号;
其中,所述的反或型闪存的内存数组中,同一行上的每一区域字符线驱动器系共享所述的漏极控制端。
2.如权利要求1所述的区域字符线驱动器,其特征在于,所述的全域字符线译码器具有分别耦接所述的第一晶体管及所述的第二晶体管的一第一控制端及一第二控制端。
3.一种闪存数组装置,其特征在于,所述的闪存数组装置包含:
一内存数组,系包含多个存储单元,所述的等存储单元区分为复数个区块,每一区块具有复数个区段,每一区段具有复数条区域字符线;
复数个区域字符线驱动器,各耦接至对应的区域字符线,每一区域字符线驱动器具有的晶体管数量系为两个,其系由串联的一第一晶体管及一第二晶体管组成,且皆为NMOS晶体管,其中,同一行上,每一区域字符线驱动器的第一晶体管的漏极端皆耦接至同一漏极控制端;及
复数个全域字符线译码器,系对应于每一区段并各耦接至对应区段内的所有区域字符线驱动器。
4.如权利要求3所述的闪存数组装置,其特征在于,所述的每一区域字符线驱动器中:
所述的第一晶体管,其栅极端用于接收对应的全域字符线译码器的第一控制信号,其漏极端耦接所述的漏极控制端,其源极端则耦接对应的区域字符线;及
所述的第二晶体管,其栅极端用于接收对应的全域字符线译码器的第二控制信号,其漏极端耦接所述的第一晶体管的源极端以及耦接对应的区域字符线,其源极端耦接一源极控制端。
5.如权利要求4所述的闪存数组装置,其特征在于,同一区块内且同一行的相邻两区域字符线驱动器中,所述的第一晶体管及所述的第二晶体管排列的顺序系为相反。
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