[发明专利]热辅助磁记录介质和磁存储装置有效
申请号: | 201110039735.1 | 申请日: | 2011-02-17 |
公开(公告)号: | CN102163433A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 神边哲也;桥本笃志;福岛隆之 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/718 | 分类号: | G11B5/718;G11B5/127 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辅助 记录 介质 存储 装置 | ||
1.一种热辅助磁记录介质,包含:基板,在该基板上形成的多个基底层,以及含有具有L10结构的合金作为主成分的磁性层,其特征在于,该基底层中的至少1层含有MgO作为主成分,并且含有至少1种熔点为2000℃以上的金属元素。
2.如权利要求1所述的热辅助磁记录介质,其特征在于,熔点为2000℃以上的金属元素是选自Nb、Mo、Ru、Ta和W中的至少1种。
3.如权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质,含有MgO作为主成分的基底层中熔点为2000℃以上的金属元素的含量为该含有MgO的基底层的2~40原子%。
4.如权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质,含有MgO作为主成分的基底层形成在由Cr构成的、或含有Cr作为主成分的BCC结构基底层上。
5.如权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质,含有MgO作为主成分的基底层形成在由Ta构成的基底层上。
6.如权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质,含有MgO作为主成分的基底层的平均粒径为10nm以下。
7.如权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质,磁性层含有L10结构的FePt或CoPt合金作为主成分,并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO和C中的至少1种氧化物或元素。
8.如权利要求7所述的热辅助磁记录介质,磁性层中该氧化物的含量为磁性层整体的10~40摩尔%。
9.如权利要求7所述的热辅助磁记录介质,磁性层中C的含量为磁性层整体的10~70原子%。
10.一种磁存储装置,包含:磁记录介质、用于使该磁记录介质转动的驱动部、磁头、用于使该磁头移动的驱动部、以及记录再生信号处理系统;其中,该磁头包含:用于加热该磁记录介质的激光发生部、将该激光发生部产生的激光引导到头顶端的波导、以及安装在头顶端的近场光发生部,
其特征在于,该磁记录介质是权利要求1或2所述的热辅助磁记录介质。
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